Продукція > RU1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.21 грн
6000+2.77 грн
9000+2.61 грн
15000+2.27 грн
21000+2.17 грн
30000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLROHMDescription: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+12.19 грн
99+8.29 грн
193+4.23 грн
500+3.32 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1080+13.11 грн
1116+12.68 грн
2500+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 1080 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 222500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3037+4.66 грн
3555+3.98 грн
3741+3.78 грн
3760+3.63 грн
6000+3.16 грн
12000+2.85 грн
24000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1CV1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 30500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 8921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.03 грн
28+10.87 грн
100+6.76 грн
500+4.67 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCLROHMDescription: ROHM - RU1E002SPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-85, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-85
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.32 грн
104+7.88 грн
500+6.29 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCLROHMDescription: ROHM - RU1E002SPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-85, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-85
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.59 грн
40+20.32 грн
104+7.88 грн
500+6.29 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.80 грн
6000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2852+4.96 грн
2936+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 2852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLROHM SemiconductorMOSFETs 0.9V Drive Nch MOSFET
на замовлення 88634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.8A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 3.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.35 грн
43+9.98 грн
65+6.49 грн
100+5.34 грн
500+3.56 грн
1000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 1450720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
33+9.28 грн
100+5.73 грн
500+3.93 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLROHMDescription: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.32 грн
1500+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCL
Код товару: 158853
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 5917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3290+4.30 грн
3769+3.75 грн
3897+3.63 грн
4855+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLROHMDescription: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+7.80 грн
137+5.93 грн
200+4.06 грн
500+3.32 грн
1500+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 1450500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.17 грн
6000+2.73 грн
9000+2.56 грн
15000+2.23 грн
21000+2.13 грн
30000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1K1120INTERSIL01+ SOP8P
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1K120INTERSIL88+ SOP8P
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1K160D-L608
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SN TLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTLROHMDescription: ROHM - RU1L002SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.49 грн
51+16.01 грн
130+6.28 грн
500+4.40 грн
1000+2.73 грн
5000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
на замовлення 10114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
26+11.62 грн
100+7.22 грн
500+5.00 грн
1000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTLROHMDescription: ROHM - RU1L002SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.01 грн
130+6.28 грн
500+4.40 грн
1000+2.73 грн
5000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTLROHM SemiconductorMOSFETs N-Channel MOSFET, 2.5V. MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and complex type to meet in
на замовлення 26929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1N12
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1P
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1PV1
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1V1
на замовлення 12314 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2