Продукція > YJL
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| YJL3400A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L | на замовлення 1536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| YJL3400B | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 3.5A; 0.4W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| YJL3401A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V | на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| YJL3401A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| YJL3401A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 96mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1920 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| YJL3401A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| YJL3401A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| YJL3401AL | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 96mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| YJL3401AL | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| YJL3401AQ | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| YJL3404A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A,, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| YJL3404A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A,, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| YJL3404A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| YJL3404A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| YJL3404AQ | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| YJL3407A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572 pF @ 15 V | на замовлення 1652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| YJL3407A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.2A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1670 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| YJL3407A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| YJL3407A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| YJL3407A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| YJL3407AL | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.2A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2710 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| YJL3415A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.98 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| YJL3415A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.98 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| YJL3415A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| YJL3415A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| YJL3416A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| YJL3416A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| YJL3416A-F2-0100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L | на замовлення 2831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| YJL3416A-F2-0100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| YJL40D10 | на замовлення 3870 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2

