Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 30 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BUK7660-100A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7660-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7660100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK766R0-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.85 грн
10+156.75 грн
50+120.21 грн
100+101.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK766R0-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK766R0-60E,118NexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 60V 75A
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.25 грн
10+126.23 грн
100+80.08 грн
500+75.94 грн
800+54.88 грн
2400+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK766R0-60E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK766R0-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.00458 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 182
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 182
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00458
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00458
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK766R0-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.26 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK766R0-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.15 грн
100+53.86 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7675-100A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7675-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+62.38 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7675-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7675-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7675-55
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7675-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 20.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7675-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 483 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7675-55A,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 20.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 75680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.31 грн
500+107.38 грн
1000+99.03 грн
10000+85.14 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7675-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 20.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7675-55A,118NexperiaMOSFETs BUK7675-55A/SOT404/D2PAK
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.11 грн
10+85.74 грн
100+36.86 грн
500+31.69 грн
800+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7675-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 483 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7675-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 20.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7675-55A,118NXPТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7675-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 20.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7675-55A,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 14.3A; Idm: 81A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 14.3A
Pulsed drain current: 81A
Power dissipation: 62W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7675100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK767555
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK767555A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R1-100E,118NexperiaMOSFETs BUK768R1-100E/SOT404/D2PAK
на замовлення 2782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.62 грн
10+173.86 грн
100+120.81 грн
250+113.91 грн
500+105.62 грн
800+88.36 грн
2400+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R1-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+312.21 грн
10+196.54 грн
50+151.91 грн
100+129.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R1-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.81 грн
1600+99.52 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R1-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+62.83 грн
1600+55.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R1-40E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK768R1-40E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0072 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R1-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.05 грн
10+118.01 грн
50+89.46 грн
100+75.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R1-40E,118NexperiaMOSFETs BUK768R1-40E/SOT404/D2PAK
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.74 грн
10+108.76 грн
100+65.31 грн
500+48.32 грн
800+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R1-40E118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK768R1-100E - POW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R3-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+177.19 грн
500+167.74 грн
1000+158.29 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R3-60E,118NexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 60V 75A
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.81 грн
10+104.79 грн
100+69.72 грн
500+64.68 грн
800+47.36 грн
2400+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R3-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.01 грн
10+136.34 грн
50+103.94 грн
100+87.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R3-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R3-60E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61.5A; Idm: 349A; 137W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43.1nC
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: 61.5A
Power dissipation: 137W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 349A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 60V
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R3-60E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK768R3-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0059 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 137
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R3-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.82 грн
1600+65.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK768R3-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK769R6-80E,118NexperiaMOSFET BUK769R6-80E/D2PAK/REEL 13" Q1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK769R6-80E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4682 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK769R6-80E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4682 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK769R6-80E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7720-55A
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK772055A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7728-55A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK772855A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7735-55A
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK773555A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK777555A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55PHISOT223
на замовлення 51600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55ANexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55APHILIPSSOT223
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A,115NexperiaMOSFET TAPE-7 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A,135NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CU135NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUFNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUFNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 278mΩ
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 55V
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.43 грн
24+17.95 грн
100+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUFNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUFNexperiaMOSFETs SOT223 N-CH 55V 5.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUFNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+11.12 грн
1000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUFNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUFNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+57.84 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK78150-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.5 A, 0.128 ohm, SC-73, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8W
Bauform - Transistor: SC-73
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.93 грн
500+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2600+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK78150-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.5 A, 0.128 ohm, SC-73, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8W
Bauform - Transistor: SC-73
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.34 грн
36+22.95 грн
100+18.93 грн
500+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; Idm: 22A; 8W; SC73,SOT223
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 278mΩ
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 8W
Pulsed drain current: 22A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 55V
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A/CUXNexperiaMOSFETs SOT223 N-CH 55V 5.5A
на замовлення 51963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.76 грн
11+28.98 грн
50+18.29 грн
100+16.02 грн
1000+11.67 грн
2000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK78150-55A115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7815055
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7815055A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK783030
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK784055
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7880-55,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-73
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7880-55,135NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 7.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
687+51.63 грн
1000+47.61 грн
Мінімальне замовлення: 687 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7880-55,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-73
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7880-55/CUFNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7880-55/CUFNexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7880-55/CUFNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 8.3W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7880-55ANexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7880-55A,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-73
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7880-55A,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-73
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7880-55A/CUXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+39.11 грн
50+28.66 грн
100+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7880-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7880-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 472 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7880-55A/CUXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7880-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 7 A, 0.08 ohm, SC-73, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8W
Bauform - Transistor: SC-73
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.01 грн
500+23.03 грн
1000+20.85 грн
5000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7880-55A/CUXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5A; Idm: 30A; 8W; SC73,SOT223
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 148mΩ
Drain current: 5A
Power dissipation: 8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 55V
Case: SC73; SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 30 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]