Продукція > STB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STB5NK50ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5NK52ZD-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 520 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6000ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D2PAK
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.55 грн
10+97.22 грн
100+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60100CSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D2PAK
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.33 грн
1600+45.59 грн
2400+43.63 грн
4000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60100CTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6011EICTVS Diode Single Bi-Dir 8.92V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6011EICTVS Diode Single Bi-Dir 8.92V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6012EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 9.72V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6012EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 9.72V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6013EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 10.5V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6013EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 10.5V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6015EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 12.1V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6015EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 12.1V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6020EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 16.2V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6020EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 16.2V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6022EICTVS Diode Single Bi-Dir 17.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6022EICTVS Diode Single Bi-Dir 17.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6024EICTVS Diode Single Bi-Dir 19.4V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6030EICTVS Diode Single Bi-Dir 24.3V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6030EICTVS Diode Single Bi-Dir 24.3V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6043EICTVS Diode Single Bi-Dir 34.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6043EICTVS Diode Single Bi-Dir 34.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6045CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 60A; reel,tape
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward voltage: 0.56V
Load current: 60A
Max. off-state voltage: 45V
Max. forward impulse current: 0.32kA
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
Semiconductor structure: common cathode; double
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB6056EICTVS Diode Single Bi-Dir 45.4V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6056EICTVS Diode Single Bi-Dir 45.4V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6068EICTVS Diode Single Bi-Dir 55.1V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6068EICTVS Diode Single Bi-Dir 55.1V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB606IEICTVS Diode Single Bi-Dir 5.5V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB606IST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB606IEICTVS Diode Single Bi-Dir 5.5V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6075EICTVS Diode Single Bi-Dir 60.7V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6075EICTVS Diode Single Bi-Dir 60.7V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB607FEICTVS Diode Single Bi-Dir 6.05V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB607FST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB607FEICTVS Diode Single Bi-Dir 6.05V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60B1EICTVS Diode Single Bi-Dir 89.2V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60B1EICTVS Diode Single Bi-Dir 89.2V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60B3EICTVS Diode Single Bi-Dir 106V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60B3EICTVS Diode Single Bi-Dir 106V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60B7EICTVS Diode Single Bi-Dir 138V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60D0EICTVS Diode Single Bi-Dir 162V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60D0EICTVS Diode Single Bi-Dir 162V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60G0EICTVS Diode Single Bi-Dir 324V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60G0EICTVS Diode Single Bi-Dir 324V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60N03L-10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60N06-14ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60N06HDT4
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60N06HDT4onsemiDescription: RF MOSFET 60V D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+100.72 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60N55F3STMicroelectronicsMOSFET STripFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NB02T4
на замовлення 60800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE03L-10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE03L-10T4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE03L-12ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE06-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE06-16STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE06-16T4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE06L-16ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE06L-16
Код товару: 169331
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE06L-16T4STM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE06L-16T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE06L-16T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF03
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF03LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 0.012 Ohm typ., 60 A STripFET II Power MOSFET in a D2PAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.63 грн
10+113.07 грн
100+77.43 грн
500+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4
Код товару: 62112
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 60 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2000/35
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB60NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.15 грн
10+128.43 грн
50+108.11 грн
200+81.52 грн
500+60.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+223.47 грн
92+154.64 грн
100+151.81 грн
500+100.92 грн
1000+74.67 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+180.63 грн
10+118.25 грн
25+99.80 грн
50+88.06 грн
100+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 546 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+106.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMTO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB60NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.11 грн
200+81.52 грн
500+60.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.04 грн
2000+88.72 грн
5000+87.94 грн
10000+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 8308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.03 грн
10+137.81 грн
100+82.21 грн
500+66.54 грн
1000+61.73 грн
2000+59.92 грн
5000+57.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4G
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+148.12 грн
10+95.61 грн
25+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 3327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.82 грн
10+101.22 грн
100+68.91 грн
500+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.48 грн
25+76.25 грн
100+72.34 грн
250+65.88 грн
500+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+90.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.32 грн
10+108.97 грн
100+64.73 грн
500+51.49 грн
1000+44.59 грн
2000+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+68.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+52.57 грн
2000+46.88 грн
3000+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+78.71 грн
183+77.48 грн
186+76.25 грн
189+72.34 грн
250+65.88 грн
500+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF10-1
на замовлення 5331 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF10-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF10T4ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]