Продукція > STB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STB6011EICTVS Diode Single Bi-Dir 8.92V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6012EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 9.72V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6012EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 9.72V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6013EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 10.5V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6013EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 10.5V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6015EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 12.1V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6015EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 12.1V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6020EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 16.2V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6020EIC SemiconductorTVS Diode Single Bi-Dir 16.2V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6022EICTVS Diode Single Bi-Dir 17.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6022EICTVS Diode Single Bi-Dir 17.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6024EICTVS Diode Single Bi-Dir 19.4V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6030EICTVS Diode Single Bi-Dir 24.3V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6030EICTVS Diode Single Bi-Dir 24.3V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6043EICTVS Diode Single Bi-Dir 34.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6043EICTVS Diode Single Bi-Dir 34.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6045CTRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 60A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.56V
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 60A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 0.32kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB6056EICTVS Diode Single Bi-Dir 45.4V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6056EICTVS Diode Single Bi-Dir 45.4V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6068EICTVS Diode Single Bi-Dir 55.1V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6068EICTVS Diode Single Bi-Dir 55.1V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB606IEICTVS Diode Single Bi-Dir 5.5V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB606IEICTVS Diode Single Bi-Dir 5.5V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6075EICTVS Diode Single Bi-Dir 60.7V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6075EICTVS Diode Single Bi-Dir 60.7V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB607FEICTVS Diode Single Bi-Dir 6.05V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB607FEICTVS Diode Single Bi-Dir 6.05V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60B1EICTVS Diode Single Bi-Dir 89.2V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60B1EICTVS Diode Single Bi-Dir 89.2V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60B3EICTVS Diode Single Bi-Dir 106V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60B3EICTVS Diode Single Bi-Dir 106V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60B7EICTVS Diode Single Bi-Dir 138V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60D0EICTVS Diode Single Bi-Dir 162V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60D0EICTVS Diode Single Bi-Dir 162V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60G0EICTVS Diode Single Bi-Dir 324V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60G0EICTVS Diode Single Bi-Dir 324V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60N03L-10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60N06-14ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60N06HDT4
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60N55F3STMicroelectronicsMOSFET STripFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NB02T4
на замовлення 60800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE03L-10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE03L-10T4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE03L-12ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE06-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE06-16STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE06-16T4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE06L-16
Код товару: 169331
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE06L-16ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE06L-16T4STM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE06L-16T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NE06L-16T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF03
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF03LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 0.012 Ohm typ., 60 A STripFET II Power MOSFET in a D2PAK package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+213.87 грн
97+147.53 грн
135+105.25 грн
500+82.87 грн
1000+71.68 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMTO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB60NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.15 грн
10+125.49 грн
50+95.97 грн
100+81.13 грн
500+65.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+197.77 грн
10+104.70 грн
50+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.87 грн
10+147.53 грн
100+105.25 грн
500+82.87 грн
1000+71.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB60NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 110W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4
Код товару: 62112
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 60 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,014 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2000/35
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 13146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4G
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.87 грн
10+85.59 грн
25+79.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+83.92 грн
172+82.60 грн
175+81.29 грн
178+77.12 грн
250+70.23 грн
500+66.30 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.87 грн
10+101.04 грн
50+76.66 грн
100+64.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.60 грн
25+81.29 грн
100+77.12 грн
250+70.23 грн
500+66.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF10-1
на замовлення 5331 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF10-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF10T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NH02LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NH02LT4ST0336+
на замовлення 18558 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6100ST2010+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6100T
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6511EICTVS Diode Single Bi-Dir 9.4V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6511EICTVS Diode Single Bi-Dir 9.4V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6512EICTVS Diode Single Bi-Dir 10.2V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6512EICTVS Diode Single Bi-Dir 10.2V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6513EICTVS Diode Single Bi-Dir 11.1V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6513EICTVS Diode Single Bi-Dir 11.1V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6522EICTVS Diode Single Bi-Dir 18.8V 600W 2-Pin SMB
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6522EICTVS Diode Single Bi-Dir 18.8V 600W 2-Pin SMB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.