Продукція > RN2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN2964(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6 | на замовлення 2855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RN2964(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2964FE | TOSHIBA | на замовлення 8200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| RN2964FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2964FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2964FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2964FS | TOSHIBA | на замовлення 57200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| RN2965(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RN2965(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2965/YYE | TOSHIBA | на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| RN2965FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2965FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2965FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2965\YYE | TOSHIBA | SOT-363 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2966FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2966FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2966FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2967(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RN2967(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RN2967FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2967FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2967FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2968 | TOSHIBA | на замовлення 126100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| RN2968FE | на замовлення 935 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN2968FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2968FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2968FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2969(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RN2969(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RN2969FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2969FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2969FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2970FE | на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN2970FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2970FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2970FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2971(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2971(TE85L,F) | Toshiba | Digital Transistors US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 200mW F 1MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2971(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RN2971FE | TOSHIBA | 08+PB | на замовлення 2850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2971FE(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT26/SOT363 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2971FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Supplier Device Package: ES6 Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2972FS | TOSHIBA | на замовлення 13700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| RN2972HFE | TOSHIBA | на замовлення 10630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| RN2A23A30 | Carlo Gavazzi Inc. | Description: 2 POLE 230VAC 30A AC CONTROL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2A48D30 | Carlo Gavazzi Inc. | Description: 2 POLE 480VAC 30A DC CONTROL Packaging: Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2F48V50контактор п/п аналоговий | Carlo Gavazzi | Промислова автоматизація | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2R2K1HBK-0511P | Lelon | Aluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 50V 2.2uF 10% 5x11mm | на замовлення 3682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2VT19AA-TL | на замовлення 2373 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RN2Z | SANKEN | DIP | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RN2ZDIP | SANKEN | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

