Продукція > SIR
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIRS700DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIRS700DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 127A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta),132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIRS700DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 3714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIRS700DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIRS700DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs SOT669 100V 120A N-CH MOSFET | на замовлення 5541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIRS700DP-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 3500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 132W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 3714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIRS700DP-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIRS700DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 127A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.4W (Ta),132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 50 V | на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIRS700DP-T1-RE3 | Vishay | MOSFETs SOT669 100V 120A N-CH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIRS700DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH. 100 V POWERPAK SO-8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIRS700DP-T1-RE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO-S EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIRS700DP-T1-RE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 102A; Idm: 350A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 102A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 84W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIRS700DP-T1-RE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIRS700DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH. 100 V POWERPAK SO-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |