Продукція > SI1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI1967DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI1967DH-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1967DH-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1967DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 | на замовлення 21151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI1967DH-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1967DH-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.64 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.64ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.64ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 21960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SI1969DH-E3 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1970DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1970DH-T1-E3 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1970DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1970DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1970DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1972DH | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1972DH-T1 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1972DH-T1-E3 | VISHAY | 09+ SMD | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1972DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1972DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1972DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1972DH-T1-GE3 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1972DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1982DH-AD-T1 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1983DT-285-T1-E3 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1984IDT-18-T1 | VISHAY | на замовлення 6200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SI1988DH-T1 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1988DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1988DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1988DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1988DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1988DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1988DH-T1-GE3 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1988DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI19993CT100 | SII | 04+ QFP | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI19993CTG100 | SII | 04+ QFP100 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1AD | SI | T206AC | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1D2512X01-AO | на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Si1P-C102 | на замовлення 78 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Si1P-C103 | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1T8528X01-Q0R0 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

