SI1967DH-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.93 грн |
| 6000+ | 10.51 грн |
| 9000+ | 10.01 грн |
| 15000+ | 8.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1967DH-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-70-6.
Інші пропозиції SI1967DH-T1-GE3 за ціною від 7.89 грн до 51.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI1967DH-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6 |
на замовлення 21307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI1967DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 |
на замовлення 21151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI1967DH-T1-GE3 |
|
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI1967DH-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC70-6
на замовлення 21307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.50 грн |
| 12+ | 29.26 грн |
| 100+ | 17.34 грн |
| 500+ | 13.32 грн |
| 1000+ | 11.35 грн |
| 3000+ | 8.67 грн |
| 9000+ | 7.89 грн |
| SI1967DH-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 21151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.54 грн |
| 10+ | 30.62 грн |
| 100+ | 19.66 грн |
| 500+ | 14.02 грн |
| 1000+ | 12.60 грн |



