Продукція > PBS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PBSS4160U,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4160U,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 250 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 6540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4160U,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4160U,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 0.75A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 415 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4160U,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4160U-QX | Nexperia | PBSS4160U-Q/SOT323/SC-70 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4160U-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS4160U-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4160V,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 0.9A SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 2289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4160V,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4160V,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS4160V/SOT666/SOT6 | на замовлення 185070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4160V,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 0.9A SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4160V,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 6-Pin SOT-666 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4160V,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 6-Pin SOT-666 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4160X,135 | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4160X-QF | Nexperia | PBSS4160X-Q/SOT89/MPT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4160X-QF | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS4160X-Q/SOT89/MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4160X-QX | Nexperia | PBSS4160X-Q/SOT89/MPT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4160X-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS4160X-Q/SOT89/MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4160XF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-89 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 1.35 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4160XF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT89 60V | на замовлення 3306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4160XF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-89 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-89 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1.35 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4160XF | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4160XX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4160XX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4160XX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-89 Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4160XX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4160XX - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 60165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4160XX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4160XX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 60 V, 1 A NPN low VCEsat BISS transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4220PANS | Nexperia USA Inc. | Description: 20 V, 2 A NPN/NPN LOW VCESAT BIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4220PANSX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS4220PANS/SOT1118/HUSON6 | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4220PANSX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 20V 2A DFN2020D-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN2020D-6 Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Current - Collector (Ic) (Max): 2A Power - Max: 370mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Bulk | на замовлення 7114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4220PANSX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 20V 2A 960mW 6-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4220PANSX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 20V 2A DFN2020D-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020D-6 Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Current - Collector (Ic) (Max): 2A Power - Max: 370mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4220PANSX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 20V 2A 960mW 6-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4220V,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 20V 2A SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 210MHz Supplier Device Package: SOT-666 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4220V,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS | на замовлення 2215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230PAN,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 249000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230PAN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 30V 2A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230PAN,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4230PAN,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 30 V, 2 A, 2 W, 150 hFE, SOT-1118 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 150 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOT-1118 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 2 Übergangsfrequenz: 120 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230PAN,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230PAN,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/NPN SOT 1118 30V | на замовлення 1139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230PAN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 30V 2A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230PAN,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW Automotive 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 32990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230PAN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230PAN-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS4230PAN-Q/SOT1118/HUSON6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230PANP | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230PANP,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230PANP,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 5800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230PANP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230PANP,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 510W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510W productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230PANP,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230PANP,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230PANP,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN/PNP SOT1118 30V | на замовлення 3459 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230PANP,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230PANP,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4230PANP,115 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 510 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 120MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 510W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: 95MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 510W productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230PANP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 2669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230QA-QZ | Nexperia | PBSS4230QA-Q/SOT1215/DFN1010D- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230QA147 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230QAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 325mW Bauform - Transistor: DFN1010D Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 190MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 16065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230QAZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230QAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 30V 2A DFN1010D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 190MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 325 mW Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230QAZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230QAZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230QAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4230QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 325 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 325mW Bauform - Transistor: DFN1010D Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 190MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 16065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230QAZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 90500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230QAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 30V 2A DFN1010D-3 Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 190MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 325 mW Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230QAZ | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230QAZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT1215 30V | на замовлення 7005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230T | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230T | Yangjie Electronic Technology | PBSS4230T | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230T | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230T T/R | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 30V 2A 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 28300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230T,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT23 30V | на замовлення 5508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4230T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 470hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 230MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 2A 480mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 30V 2A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 230MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 480 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 1023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230T,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 2A; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 150...470 Frequency: 230MHz Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Case: SOT23; TO236AB | на замовлення 239 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1339 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4230T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4230T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 470hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 230MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4230T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 30V 2A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 230MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 480 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4232DD-L2-00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4232DD_L2_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 32V 2A TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4232DD_L2_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPN Low Vce(sat) Transistor | на замовлення 1754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4232DD_L2_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 32V 2A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4240DPN | NXP | NPN/PNP 1.35/1.1A 40V 370mW 150MHz PBSS4240DPN smd TPBSS4240dpn кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4240DPN | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4240DPN T/R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4240DPN T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS BISS TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4240DPN,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4240DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 1.35 A, 1.35 A, 310 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 310mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.35A Übergangsfrequenz, PNP: 150MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 300hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 310mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.35A | на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4240DPN,115 | NXP | SOT-457 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4240DPN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 1.35A/1.1A 1100mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4240DPN,115 | NEXPERIA | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 1.1W Mounting: SMD Power dissipation: 1.1W Collector current: 1.35/1.1A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 75...900 Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Type of transistor: NPN / PNP Case: SC74; SOT457; TSOP6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4240DPN,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN/PNP 40V 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1.35A, 1.1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A / 530mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4240DPN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 1.35A/1.1A 1100mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 144 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4240DPN,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4240DPN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 1.35 A, 1.35 A, 310 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 310mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.35A Übergangsfrequenz, PNP: 150MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 300hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 310mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.35A | на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4240DPN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 1.35A/1.1A 1100mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS4240DPN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 1.35A/1.1A 1100mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4240DPN,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS4240DPN/SOT457/SC-74 | на замовлення 3223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

