Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF46ER102K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1MH 200MA 8 OHM TH Tolerance: ±10% Packaging: Bag Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 8Ohm Max Q @ Freq: 80 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 1.7MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Inductance: 1 mH Current Rating (Amps): 200 mA | на замовлення 8653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF46ER102K | VISHAY | Description: VISHAY - IRF46ER102K - Leistungsinduktivität, 1mH, 10%, 8 Ohm, 0.2A, Produktreihe IRF-46 tariffCode: 85045000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Induktivitätstoleranz: ± 10% Induktivität: 1mH euEccn: NLR DC-Nennstrom: 200mA isCanonical: Y DC-Widerstand, max.: 8ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: IRF-46 Series SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 12239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF46ER102K 1000 мкГн | Vishay Dale | Axial 5*14 10% Індуктивності | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER103J | Vishay | RF inductors - Leaded IRF-46 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER103K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 10MH 65MA 74 OHM TH Packaging: Bag Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 74Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 79.6kHz Frequency - Self Resonant: 500kHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 79.6 kHz Part Status: Active Inductance: 10 mH Current Rating (Amps): 65 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER122K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.2MH 180MA 9 OHM TH Packaging: Bag Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 9Ohm Max Q @ Freq: 80 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 1.5MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Part Status: Active Inductance: 1.2 mH Current Rating (Amps): 180 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER123K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 12MH 60MA 88 OHM TH Packaging: Bag Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 88Ohm Max Q @ Freq: 50 @ 79.6kHz Frequency - Self Resonant: 400kHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 79.6 kHz Part Status: Active Inductance: 12 mH Current Rating (Amps): 60 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER123K | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded 12uH 10% Axial Leaded | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER152K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.5MH 160MA 10 OHM TH Packaging: Bag Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 10Ohm Max Q @ Freq: 80 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 1.4MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Inductance: 1.5 mH Current Rating (Amps): 160 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER153K | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded 15uH 10% Axial Leaded | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER153K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 15MH 55MA 102 OHM TH Packaging: Bag Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 102Ohm Max Q @ Freq: 50 @ 79.6kHz Frequency - Self Resonant: 400kHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 79.6 kHz Part Status: Active Inductance: 15 mH Current Rating (Amps): 55 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER153K | Vishay | RF Choke Wirewound 15mH 10% 1KHz 50Q-Factor 55mA 102Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER182K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 1.8MH 150MA 11 OHM TH Packaging: Bag Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 11Ohm Max Q @ Freq: 80 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 1.3MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Part Status: Active Inductance: 1.8 mH Current Rating (Amps): 150 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER222K | Vishay | RF Choke Wirewound 2.2mH 10% 1KHz 80Q-Factor 120mA 14Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER222K | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded 2.2uH 10% Axial Leaded | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER222K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.2MH 120MA 14 OHM TH Packaging: Bag Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 14Ohm Max Q @ Freq: 80 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 1.2MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Part Status: Active Inductance: 2.2 mH Current Rating (Amps): 120 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER223K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 22MH 45MA 180 OHM TH Tolerance: ±10% Packaging: Bag Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 180Ohm Max Q @ Freq: 40 @ 79.6kHz Frequency - Self Resonant: 300kHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 79.6 kHz Part Status: Active Inductance: 22 mH Current Rating (Amps): 45 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER272K | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded 2.7uH 10% Axial Leaded | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER272K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 2.7MH 110MA 18 OHM TH Tolerance: ±10% Packaging: Bag Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 18Ohm Max Q @ Freq: 80 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 1MHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Part Status: Active Inductance: 2.7 mH Current Rating (Amps): 110 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER273K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 27MH 40MA 210 OHM TH Tolerance: ±10% Packaging: Bag Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 210Ohm Max Q @ Freq: 40 @ 79.6kHz Frequency - Self Resonant: 300kHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 79.6 kHz Part Status: Active Inductance: 27 mH Current Rating (Amps): 40 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER303K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 30MH 35MA 240 OHM TH Tolerance: ±10% Packaging: Bag Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 240Ohm Max Q @ Freq: 40 @ 79.6kHz Frequency - Self Resonant: 300kHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 79.6 kHz Part Status: Active Inductance: 30 mH Current Rating (Amps): 35 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER332K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 3.3MH 105MA 22 OHM TH Tolerance: ±10% Packaging: Bag Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 22Ohm Max Q @ Freq: 80 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 900kHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Part Status: Active Inductance: 3.3 mH Current Rating (Amps): 105 mA | на замовлення 5469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF46ER333K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 33MH 30MA 250 OHM TH Packaging: Bag Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 250Ohm Max Q @ Freq: 40 @ 79.6kHz Frequency - Self Resonant: 200kHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 79.6 kHz Part Status: Active Inductance: 33 mH Current Rating (Amps): 30 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER333K | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded 33uH 10% Axial Leaded | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER472K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 4.7MH 95MA 30 OHM TH Packaging: Bag Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 30Ohm Max Q @ Freq: 80 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 700kHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Part Status: Active Inductance: 4.7 mH Current Rating (Amps): 95 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER562K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 5.6MH 80MA 34 OHM TH Tolerance: ±10% Packaging: Bag Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 34Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 700kHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Inductance: 5.6 mH Current Rating (Amps): 80 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER682K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 6.8MH 75MA 48 OHM TH Tolerance: ±10% Packaging: Bag Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 48Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 500kHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Part Status: Active Inductance: 6.8 mH Current Rating (Amps): 75 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46ER822K | Vishay / Dale | RF inductors - Leaded 8.2mH 10% Axial Leaded | на замовлення 2179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF46ER822K | Vishay Dale | Description: FIXED IND 8.2MH 70MA 62 OHM TH Packaging: Bag Tolerance: ±10% Package / Case: Axial Size / Dimension: 0.205" Dia x 0.394" L (5.20mm x 10.00mm) Mounting Type: Through Hole Shielding: Unshielded Operating Temperature: -20°C ~ 105°C DC Resistance (DCR): 62Ohm Max Q @ Freq: 60 @ 2.52MHz Frequency - Self Resonant: 500kHz Material - Core: Ferrite Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz Part Status: Active Inductance: 8.2 mH Current Rating (Amps): 70 mA | на замовлення 2361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF46ER822K | Vishay | RF Choke Wirewound 8.2mH 10% 1KHz 60Q-Factor 70mA 62Ohm DCR AXL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46RU123K | Vishay / Dale | Fixed Inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46RU223K | Vishay / Dale | Fixed Inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF46RU333K | Vishay / Dale | Fixed Inductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4905 | International Rectifier/Infineon | P-канальный ПТ (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт кількість в упаковці: 100 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4905 | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905; SP001571330; IRF4905 UMW TIRF4905 UMW кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905 | UMW | Description: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4905 | Infineon | P-MOSFET 74A 55V 200W 0.02Ω IRF4905 TIRF4905 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1947 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905 | Infineon / IR | MOSFETs MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -74A, 20 mOhm, 120 nC Qg, TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4905+F | IR | 07+ 220 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4905L | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905L TIRF4905L кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905L Код товару: 30161
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 55 V Id,A: 74 A Rds(on),Om: 0,02 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRF4905LPBF | International Rectifier | TO-262, Vdss=-55V, Id=-42A, Rds(on)=20mOm, -55...+150 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4905LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905LPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF4905LPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 4435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 20mΩ Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 116 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 8960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4905LPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC | на замовлення 6428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 8963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 2003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905LPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 5931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC | на замовлення 51035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905PBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 74 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3400 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 38 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4905PBF Код товару: 22366
15
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 55 V Id,A: 74 A Rds(on),Om: 0,02 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180 Монтаж: THT | у наявності: 1950 шт
очікується: 50 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRF4905PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 10600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 114980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 44060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 10390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905PBF | IRF4905PBF Транзисторы HEXFET | на замовлення 930 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF4905PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF4905PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 58236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 20mΩ Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 6328 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 114988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905S | International Rectifier/Infineon | P-канальный ПТ (Vds=55V, Id=70A@T=25C, Id=44A@T=100C, Rds... Транзистори Корпус: D2-PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4905S | IR | 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4905S Код товару: 1975
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: D2Pak Uds,V: 55 V Id,A: 74 A Rds(on),Om: 0,02 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRF4905S-111 Код товару: 15209
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-220AB Монтаж: THT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4905SPBF | IRF4905SPBF Транзисторы MOS FET Power | на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF4905SPBF Код товару: 98720
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF4905SPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4905SPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4905SPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4905SPBF | International Rectifier | D2Pak, Vdss=-55V, Id=-42A, Rds(on)=20mOm, -55...+150 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4905STRL | Infineon | Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 2250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905STRL | JSMicro Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL JSMICRO TIRF4905s JSM кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905STRL Код товару: 196490
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF4905STRL | UMW | Description: MOSFET P-CH 55V 42A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4905STRL | на замовлення 710 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRF4905STRL | Infineon | Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905STRL; IRF4905S-GURT; IRF4905STRR; IRF4905S smd; IRF4905STRL TIRF4905s кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 595 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905STRLP | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 98 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905STRLP | UMW | Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905STRLP | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905STRLP | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF4905S; IRF4905STRL; IRF4905STRR; SP001563360; SP001559632; SP001576684; IRF4905STRL UMW TIRF4905s UMW | на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 17927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies | P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | JSMSEMI | D2Pak, Vdss=-55V, Id=-42A, Rds(on)=20mOm, -55...+150 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC | на замовлення 7413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF Код товару: 173205
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies | P-channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 74 A, maximum operating voltage of 55 V, and maximum power dissipation of 170 W. | на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Id = 42 А, Ptot, Вт = 170, Udss, В = 55, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3500 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 42 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 36 шт | на замовлення 11 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 17927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -74A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | на замовлення 3867 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF4905STRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 11156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

