Продукція > MRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF6V2150NB | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6V2150NBR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-272BB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 220MHz Power - Output: 150W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 450 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2150NBR1 | NXP Semiconductors | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-272BB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 450MHz Configuration: N-Channel Power - Output: 150W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 450 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2150NBR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 150W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2150NBR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 Current - Test: 450 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 150W Frequency: 220MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: TO-272BB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2150NBR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Packaging: Bulk Package / Case: TO-272BB Frequency: 220MHz Power - Output: 150W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 450 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2150NBR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 150W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2150NBR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin TO-272 W T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6V2150NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 220MHz Power - Output: 150W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 450 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2150NR1 | NXP (VIA ROCHESTER) | Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6V2150NR1 - MRF6V2150 - LATERAL N-CHANNEL tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6V2150NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 150W | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2300N | NXP Semiconductors | Lateral N-Channel Single-Ended Broadband RF Power MOSFET, 10-600 MHz, 300 W, 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2300NBR | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6V2300NBR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 300W TO272WB4N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2300NBR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-272BB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 220MHz Power - Output: 300W Gain: 25.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 900 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2300NBR1 | FRS | Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin TO-272 W T/R Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2300NBR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin TO-272 W T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2300NBR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Technology: LDMOS Gain: 25.5dB Power - Output: 300W Frequency: 220MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: TO-272BB Packaging: Cut Tape (CT) Current - Test: 900 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2300NBR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2300NBR5 | NXP USA Inc. | Description: RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2300NBR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 300W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2300NBR5 Код товару: 170660
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| MRF6V2300NBR5 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6V2300NBR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin TO-272 W T/R | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6V2300NBR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2300NBR5,578 | NXP USA Inc. | Description: LATERAL N CHANNEL SINGLE-ENDED B | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2300NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 220MHz Power - Output: 300W Gain: 25.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 900 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2300NR1 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 300W TO270WB4N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2300NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 220MHz Power - Output: 300W Gain: 25.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 900 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2300NR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 110V 220MHZ TO-270-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2300NR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 300W TO270WB4N | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V2300NR5578 | NXP USA Inc. | Description: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE RF PO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V3090NBR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-272BB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 860MHz Power - Output: 18W Gain: 22dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V3090NBR1 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6V3090NBR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 860MHz 90W TO 272WB4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V3090NBR5 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6V3090NBR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 860MHz 90W TO 272WB4 | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V3090NBR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 110V 860MHZ TO272-4 Current - Test: 350 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Technology: LDMOS Gain: 22dB Power - Output: 18W Frequency: 860MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: TO-272BB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V3090NBR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 110V 860MHZ TO272-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-272BB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 860MHz Power - Output: 18W Gain: 22dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V3090NBR5578 | NXP USA Inc. | Description: RF POWER UHF BAND N-CHANNEL FET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V3090NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Current - Test: 350 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Technology: LDMOS Gain: 22dB Power - Output: 18W Frequency: 860MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V3090NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V3090NR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 860MHz Power - Output: 18W Gain: 22dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V3090NR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V41KH | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6V4300NBR1 | FRS | 10-600 MHz, 300 W, 50 V LATERAL N-CHANNEL SINGLE-ENDED BROADBAND RF POWER MOSFETs Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V4300NBR1 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 110V 450MHZ TO-272-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V4300NBR1 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 300W TO272WB4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V4300NBR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-272BB Current Rating (Amps): 2.5mA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 10MHz ~ 600MHz Power - Output: 300W Gain: 22dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 900 mA | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6V4300NBR5 | NXP | Description: NXP - MRF6V4300NBR5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6V4300NBR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 300W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V4300NR1 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 110V 450MHZ TO-270-4 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V4300NR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 300W TO270WB4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6V4300NR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 110V 450MHZ TO-270-4 | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP11KGSR5 | NXP Semiconductors | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-1230-4S GULL Technology: LDMOS (Dual) Power - Output: 1000W Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Current Rating (Amps): 100µA Package / Case: NI-1230-4S GW Packaging: Bulk Gain: 26dB Frequency: 1.8MHz ~ 150MHz | на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6VP11KGSR5 | NXP / Freescale | RF Bipolar Transistors VHV6 130MHZ 1000W NI1230 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP11KH | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6VP11KHR | на замовлення 57 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6VP11KHR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP11KHR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 130MHZ 1000W NI1230 | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP11KHR5 Код товару: 47840
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| MRF6VP11KHR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6VP11KHR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS (Dual) Gain: 26dB Power - Output: 1000W Configuration: 2 N-Channel Frequency: 1.8MHz ~ 150MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230 Packaging: Bulk Current - Test: 6 A | на замовлення 841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6VP11KHR6 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP121KHR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Bulk Technology: LDMOS Gain: 20dB Power - Output: 1000W Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Configuration: Dual Frequency: 1.03GHz Package / Case: NI-1230 | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6VP121KHR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP121KHR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 20dB Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 1.03GHz Package / Case: NI-1230 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP121KHR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 1KW 50V NI1230H | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP121KHR5 Код товару: 193259
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| MRF6VP121KHR5 | NXP | Description: NXP - MRF6VP121KHR5 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6VP121KHR5 | NXP | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP121KHR5-FR | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Bulk Package / Case: NI-1230 Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.215GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 21.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Active Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6VP121KHR5178 | Freescale Semiconductor | Description: LATERAL N CHANNEL BROADBAND RF , Packaging: Bulk Package / Case: NI-1230 Current Rating (Amps): 100µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 965MHz ~ 1.215GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 21.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Active Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP121KHR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 20dB Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 1.03GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP121KHR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 1kW 50V NI1230H | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP121KHR6 | FRS | RF Mosfet 50 V 150 mA 1.03GHz 20dB 1000W NI-1230 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP121KHSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 1KW 50V NI1230HS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP121KHSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-1230S Technology: LDMOS Gain: 20dB Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 1.03GHz Package / Case: NI-1230S Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP121KHSR6 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP21KH | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6VP21KHR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Package / Case: NI-1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 24dB Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 225MHz Mounting Type: Chassis Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP21KHR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230-4H Technology: LDMOS Gain: 24dB Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 235MHz Mounting Type: Chassis Mount Current Rating (Amps): 100µA Package / Case: SOT-979A Packaging: Bulk | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6VP21KHR5 | NXP | Description: NXP - MRF6VP21KHR5 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6VP21KHR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 24dB Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 225MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6VP21KHR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 225MHZ 1000W NI1230 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP21KHR6 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 24dB Power - Output: 1000W Configuration: Dual Frequency: 225MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP2600H | NXP Semiconductors | Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2-500 MHz, 600 W, 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP2600H Код товару: 161742
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| MRF6VP2600H | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6VP2600HR | FREESCALE | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| MRF6VP2600HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R | на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6VP2600HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 2.6 A Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 125W Configuration: Dual Frequency: 225MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP2600HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 2.6 A Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 125W Configuration: Dual Frequency: 225MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230 Packaging: Bulk | на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6VP2600HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 600W 225MHZ NI1230 | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP2600HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R | на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6VP2600HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Package / Case: NI-1230 Packaging: Cut Tape (CT) Current - Test: 2.6 A Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 125W Configuration: Dual Frequency: 225MHz Mounting Type: Chassis Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP2600HR5-FR | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 2.6 A Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 600W Configuration: Dual Frequency: 500MHz Mounting Type: Chassis Mount Current Rating (Amps): 50µA Package / Case: NI-1230 Packaging: Bulk | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6VP2600HR5178 | NXP | Description: NXP - MRF6VP2600HR5178 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRF6VP2600HR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 2.6 A Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 125W Configuration: Dual Frequency: 225MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRF6VP2600HR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 600W 225MHZ NI1230 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

