Продукція > Mps
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MPSA05RLRAG | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA05RLRM | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 500MA TO92-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA05RLRM | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MPSA05RLRMG | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA05RLRMG | ONSEMI | Description: ONSEMI - MPSA05RLRMG - MPSA05RLRMG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA05RLRMG | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA05RLRMG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA05T/B | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MPSA05_D26Z | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA05_D27Z | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA05_D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA05_D75Z | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA05_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN GEN PUR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 | Rectron | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 1849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 80V, 500mA, NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 | ONS/FAI | NPN, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 100МГц, 0.625Вт, TO-92 (комплем. MPSA56) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MPSA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 100 Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz Case: TO92 Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.625W | на замовлення 5871 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 | Rectron | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN/MEDP TO-92 | на замовлення 55625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 5871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 | Rectron | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 34734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 Код товару: 54324
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 fT: 100 MHz Uceo,V: 80 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 0,5 A h21: 100 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||||
| MPSA06 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 | CJ | Транзистори | на замовлення 350 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 10097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - MPSA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 14371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 59915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT NPN GP 80V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 | LGE | NPN 500mA 80V 625mW 100MHz MPSA06G MPSA06 TMPSA06 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3540 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 7005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MPSA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 100MHz Case: TO92 Collector current: 0.5A | на замовлення 1920 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 59915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06 | Rectron | Bipolar Transistors - BJT NPN,0.5A,80V GenPur | на замовлення 8771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 APM PBFREE | Central Semiconductor | MPSA06 APM PBFREE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | на замовлення 3867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 80V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | MPSA06 APM TIN/LEAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 80V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 80V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Med Power | на замовлення 6139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE RADIAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80Vcbo 80Vceo 4.0V 500mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 80V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 80V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 80V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06,116 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06,412 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06-A | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06-AP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V | на замовлення 9567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06-T | Rectron | Bipolar Transistors - BJT NPN 0.5A 80V Gen Pur | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06.. | ONSEMI | Description: ONSEMI - MPSA06.. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80V, 100MHz, 625mW, 500mA, 100hFE tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 24855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06BK | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box | на замовлення 2776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06BK | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MPSA06BK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06BK | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92BK, 80V, 500mA, NPN | на замовлення 12433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06BK | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06BK | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06BK | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 100 Kind of package: bulk Frequency: 100MHz Case: TO92 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.625W | на замовлення 2776 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06BK | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06BK | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Case: TO92 Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.625W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06G | On Semiconductor | NPN, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 100МГц, 0.625Вт, TO-92 (комплем. MPSA56RL1) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06RA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06RA | на замовлення 2022 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MPSA06RA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06RA | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 41272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06RA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06RA | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power | на замовлення 17765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06RA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06RA | ONSEMI | Description: ONSEMI - MPSA06RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06RA | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06RA | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Mounting: THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06RA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06RL | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06RL1 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06RL1G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06RL1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 200084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MPSA06RL1G | On Semiconductor | NPN, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 100МГц, 0.625Вт, TO-92 (комплем. MPSA56RL1) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06RL1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MPSA06RL1G - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-92-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MPSA06RL1G | MPSA06RL1G Транзисторы Bipolar | на замовлення 9550 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

