Продукція > PDT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PDTC114YT-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC114YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YT-QR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YT-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC114YT-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YT-QVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC114YT-QVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YT-QVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YT-QVL | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YT-QVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC114YT-QVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YT-QVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YT-QVL | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .1A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YT/T1 | NXP | SOT23NPN-DIGITAL.1A50VR1=10kOhm/R2=4 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YT235 | NXP USA Inc. | Description: PDTA114Y SERIES - PNP RESISTOR-E Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YTVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YTVL | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .1A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YTVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YTVL | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YTVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC114YTVL - RF TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YTVL | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 305000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YU | NXP | Tranzystor NPN; 100; 200mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTC114YU,115; PDTC114YU-QX; PDTC114YU NEXPERIA TPDTC114yu кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YU T/R | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R | на замовлення 17125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YU(30t) | на замовлення 8290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC114YU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 133 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YU,115 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 100 мА, ft, МГц = 230, hFE = 100 @ 5 мА, 5 В, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,1 @ 250 мкА, 5 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YU,115 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 230MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YU,115 | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .1A NPN R ET | на замовлення 10205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YU-QF | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YU-QF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC114YU-QF - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 7520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YU-QF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YU-QF | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .1A NPN R ET | на замовлення 154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YU-QF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC114YU-QF - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 7520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YU-QF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YU-QX | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .1A NPN R ET | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YU-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC114YU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YU-QX | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 230MHz Base resistor: 10kΩ Application: automotive industry Base-emitter resistor: 47kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YU-QX | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YU-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC114YU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YU/ZLX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTC114YU/ZLX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YUF | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YUF | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YUF | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .1A NPN R ET | на замовлення 841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC114YUF | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 559000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YUF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC114YUF - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 111570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC114YUT/R | на замовлення 6834 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC115EE | PHILIPS | SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115EE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 20mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 47160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 20mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 545750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EE,115 | NXP | Description: NXP - PDTC115EE,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 978434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115EE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 20mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 20mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 307324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC75 Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 978434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EEF | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTC115EEF,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-89 Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115EK | PHILIPS | 2004 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115EK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.02A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115EM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.02A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EM,315 | NXP | Description: NXP - PDTC115EM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 14742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EM,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTC115EM/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115EM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115EM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 20mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 17296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.02A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC115EM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 14742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EM-QYL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTC115EM-Q/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115EM-QYL | Nexperia USA Inc. | Description: PDTC115EM-Q/SOT883/XQFN3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115EMB | Rochester Electronics, LLC | Description: NOW NEXPERIA PDTC115EMB - SMALL | на замовлення 9658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9658 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.02A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 189658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 20mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.02A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 230 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115EMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC115EMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 79890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 20mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 9658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EMB,315 | Nexperia | Digital Transistors SOT883B 50V .02A NPN RET | на замовлення 6105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN Packaging: Bulk | на замовлення 79890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EMB,315 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.02A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 79890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EMB,315 | NXP | Description: NXP - PDTC115EMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 79890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115EMB315 | Rochester Electronics, LLC | Description: NOW NEXPERIA PDTC115EMB - SMALL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115EMB315 | Rochester Electronics, LLC | Description: NOW NEXPERIA PDTC115EMB - SMALL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115ES,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115ET | Nexperia | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115ET | PHILIPS | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC115E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115ET,215 | NXP | NPN 20mA 50V 250mW PDTC115ET,215 TPDTC115et кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 385160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC115E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7336000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTC115ET,215 | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTC115ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 7721160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

