Продукція > FDS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS9410
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9410NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9412FAIRCHILDFDS9412
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
947+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 947 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9412ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9412 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 116238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1336+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 1336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9412FAIRCHILDFDS9412
на замовлення 109500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
947+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 947 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9412onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9412FAIRCHILDFDS9412
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
947+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 947 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9412FAIRCHILDSO-8
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9412FAIRCHILDFDS9412
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
947+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 947 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9412Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V
на замовлення 116238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
910+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9412-NLFAIRCHILDSOP8 04+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9412AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9412AFairchild
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9412NLFAIRCHILD
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9412_NLFAIRCHILD
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9424FAIRCHILDSOP
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9424NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9426AFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431Fairchild SemiconductorDescription: P CHANNEL 2.5V SPECIFIED MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431FSCSOP-8
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431ATECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 22mOhm; 7,5A; 2,4W; -50°C~150°C; FDS9431A TFDS9431a TEC
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AFairchild/ON SemiconductorP-канальный ПТ (Vds=-20V, Id=-3,5A, Rds(on) =130mOhm@Vgs=4,5V, P=1W)... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 SGL P-CH -20V
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.04 грн
10+58.01 грн
100+34.84 грн
500+30.10 грн
1000+24.87 грн
2500+22.09 грн
5000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A
Код товару: 38296
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 30388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+50.42 грн
100+33.12 грн
500+24.11 грн
1000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AON-SemiconductorP-MOSFET 3.5A 20V 1W 0.13Ω FDS9431A TFDS9431a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 583 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 8.5nC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.38 грн
8+58.87 грн
10+51.33 грн
50+36.82 грн
100+32.04 грн
500+23.82 грн
1000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.35 грн
500+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.37 грн
5000+23.74 грн
7500+23.67 грн
10000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AON-SemiconductorP-MOSFET 3.5A 20V 1W 0.13Ω FDS9431A TFDS9431a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431ATECH PUBLICSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.10 грн
5000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AON-SemiconductorP-MOSFET 3.5A 20V 1W 0.13Ω FDS9431A TFDS9431a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.10 грн
50+50.88 грн
100+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.37 грн
5000+23.74 грн
7500+23.67 грн
10000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.39 грн
18+42.05 грн
25+39.22 грн
100+37.19 грн
250+34.18 грн
500+28.61 грн
1000+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AON-SemiconductorP-MOSFET 3.5A 20V 1W 0.13Ω FDS9431A TFDS9431a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431AONS/FAISO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET SO8 SINGLE PCH 20V
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A-F085CTonsemiDescription: P-CHANNEL 2.5V SPECIFIED MOSFET,
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A-TF085onsemiDescription: P-CHANNEL 2.5V SPECIFIED MOSFET,
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431ANLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A_NLFSC09+
на замовлення 10318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435FSCSOP
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.40 грн
5000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+28.70 грн
2500+25.14 грн
5000+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 493 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9435A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.52 грн
500+25.51 грн
1000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435AUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1202+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 1202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435AON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 80mOhm; 5,3A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; FDS9435A TFDS9435a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435AonsemiMOSFETs SO-8 SGL P-CH -30V
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.39 грн
10+49.44 грн
100+28.22 грн
500+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9435A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 4582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.24 грн
50+47.88 грн
100+31.38 грн
500+22.49 грн
1000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
на замовлення 22652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+46.65 грн
100+30.55 грн
500+22.16 грн
1000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.76 грн
16+49.18 грн
30+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435AONS/FAISO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435AUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
13+23.40 грн
100+14.89 грн
500+10.53 грн
1000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435A
Код товару: 36583
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Id, A: 5,3 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 528/10
Монтаж: SMD
у наявності: 47 шт
  • 5 шт - склад
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+25.00 грн
10+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435AONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.3A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.3A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±25V
Polarisation: unipolar
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.64 грн
10+45.79 грн
50+31.37 грн
100+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9435A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435A-NBAD008ON Semiconductor30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
1000+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435A-NBAD008onsemiDescription: 30V P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435A-NBAD008ON Semiconductor30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.58 грн
500+140.26 грн
1000+129.65 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435A-NBAD008ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9435A-NBAD008 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435A-NLFDS
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435ANBAD008onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tj)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435ANLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435AZNLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435A_NBAD008onsemi / FairchildArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435A_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9435A_Qonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 SGL P-CH -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9466ASN1FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9466SFAI03+
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9466SNFAI03+
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9912AFAIRCHILDSOP
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926KEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926AonsemiMOSFETs SO-8 SGL N-CH 2.5V
на замовлення 29627 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
4+86.16 грн
10+52.64 грн
100+33.72 грн
500+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926AONS/FAIMOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOIC-8 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9926A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.54 грн
50+53.00 грн
100+34.79 грн
500+25.21 грн
1000+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926AON-SemiconductorTransistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 50mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS9926A TFDS9926a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926A
Код товару: 34127
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, V: 20 V
Струм стоку Idd, A: 6,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 700/7
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 258 шт
  • 209 шт - склад
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+15.00 грн
10+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926AONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926AFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 30 мОм @ 6,5 А, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS9926A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.06 грн
500+25.44 грн
1000+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]