Продукція > IPL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPLK80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 800V TDSON-8 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLK80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLK80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 800V TDSON-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLK80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 800V TDSON-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLK80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 800V TDSON-8 Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLK80R750P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPLK80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLK80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLK80R750P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPLK80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 57W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLK80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 800V TDSON-8 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8 | на замовлення 1596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLK80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLK80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 800V TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLK80R900P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPLK80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLK80R900P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPLK80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 54W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.77ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLK80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 800V TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLT60R037CM8XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600 V CoolMOS 8 Power Transistor | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLT60R055CM8XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600 V CoolMOS 8 Power Transistor | на замовлення 377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLT60R070CM8XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600 V CoolMOS 8 Power Transistor | на замовлення 697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLT60R099CM8XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600 V CoolMOS 8 Power Transistor | на замовлення 784 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLT60R120CM8XTMA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU250N04S41R7XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 250A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU250N04S41R7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 250A 8HSOF Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU250N04S41R7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 250A 8HSOF Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU250N04S41R7XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 250A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU250N04S41R7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 1069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU300N04S4-1R1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU300N04S4-R7 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU300N04S4-R8 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 30/40V | на замовлення 318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU300N04S4-R8 Код товару: 219815
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPLU300N04S4-R8 | Infineon | OptiMOS™-T2 Power-Transistor 40V 300A H-PSOF-8-1 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU300N04S41R1XTMA1 | Infineon | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPLU300N04S41R1XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU300N04S41R1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU300N04S41R1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12090 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU300N04S41R1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU300N04S41R1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 209441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU300N04S41R1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU300N04S41R1XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU300N04S41R1XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU300N04S41R1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12090 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU300N04S41R1XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU300N04S41R1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU300N04S41R1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU300N04S41R1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 26291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU300N04S4R7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 30/40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU300N04S4R7XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU300N04S4R7XTMA2 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU300N04S4R7XTMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22945 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Power Dissipation (Max): 429W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU300N04S4R8XTMA1 Код товару: 221767
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPLU300N04S4R8XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.77mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 429W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22945 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU300N04S4R8XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU300N04S4R8XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 347510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU300N04S4R8XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPLU300N04S4R8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 770 µohm, H-PSOF-8-1, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 429W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF-8-1 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm | на замовлення 2768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU300N04S4R8XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU300N04S4R8XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU300N04S4R8XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 30/40V | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU300N04S4R8XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.77mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 429W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22945 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU300N04S4R8XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU300N04S4R8XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU300N04S4R8XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU300N04S4R8XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 964296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPLU300N04S4R8XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPLU300N04S4R8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 770 µohm, H-PSOF-8-1, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 429W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF-8-1 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm | на замовлення 2768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPLU300N04S4R8XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

