Продукція > IPL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPLK80R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+96.08 грн
100+65.05 грн
500+48.57 грн
1000+44.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 54W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.77ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 800V TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK80R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLK80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLT60R037CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLT60R055CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLT60R070CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLT60R099CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 30A HDSOP-16
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.39 грн
10+196.92 грн
50+153.16 грн
100+130.51 грн
500+111.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLT60R099CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 30A HDSOP-16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLT60R099CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLT60R120CM8XTMA1Infineon Technologies HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLT60R160CM8XTMA1Infineon Technologies HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLT60R160CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPLT60R160CM8XTMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU250N04S41R7XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU250N04S41R7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 250A 8HSOF
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+87.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU250N04S41R7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 250A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU250N04S41R7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU250N04S41R7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 250A 8HSOF
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.85 грн
10+169.52 грн
50+131.05 грн
100+111.36 грн
500+91.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU250N04S41R7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 250A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4-1R1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+451.55 грн
33+432.15 грн
50+415.69 грн
100+387.24 грн
250+347.68 грн
500+324.69 грн
1000+316.75 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4-R7Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4-R8InfineonOptiMOS™-T2 Power-Transistor 40V 300A H-PSOF-8-1 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4-R8
Код товару: 219815
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4-R8Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+193.29 грн
500+183.87 грн
1000+173.26 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+409.56 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 209441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+193.29 грн
500+183.87 грн
1000+173.26 грн
10000+156.84 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12090 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+118.37 грн
6000+112.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+193.29 грн
500+183.87 грн
1000+173.26 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+409.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 26291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+193.29 грн
500+183.87 грн
1000+173.26 грн
10000+156.84 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S41R1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12090 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.37 грн
10+222.96 грн
50+173.83 грн
100+148.31 грн
500+128.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 30/40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R7XTMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22945 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.76mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R7XTMA2Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+584.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 347510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+302.91 грн
500+287.58 грн
1000+271.08 грн
10000+246.63 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R8XTMA1
Код товару: 221767
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.77mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22945 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+302.91 грн
500+287.58 грн
1000+271.08 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLU300N04S4R8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 770 µohm, H-PSOF-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R8XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+302.91 грн
500+287.58 грн
1000+271.08 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+584.01 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 964296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+302.91 грн
500+287.58 грн
1000+271.08 грн
10000+246.63 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPLU300N04S4R8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 770 µohm, H-PSOF-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 770µohm
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.77mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22945 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.02 грн
10+300.25 грн
50+237.58 грн
100+204.02 грн
500+191.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPLU300N04S4R8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+302.91 грн
500+287.58 грн
1000+271.08 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.