Продукція > 2N6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N669A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N670 | MOT | CAN | на замовлення 318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6701 | HP | 9018 DIP | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6709 | на замовлення 1797 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N671 | MOT | CAN | на замовлення 644 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6714 | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 2A TO237 Packaging: Bulk Package / Case: TO-237AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Supplier Device Package: TO-237 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6714 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 30V 2A TO237 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: TO-237 Frequency - Transition: 500MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-237AA | на замовлення 1592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6714 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 30V 2A TO237 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: TO-237 Frequency - Transition: 500MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-237AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6715 | Centralsemi | TO-237 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6715 Код товару: 99890
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N6715 | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 2A TO92-3 Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 500MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6715-18 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 40V 2A TO237 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: TO-237 Frequency - Transition: 500MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-237AA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6716 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6716 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Med Power | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6717 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6717 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6717 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | на замовлення 278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6717STOA | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6717STOA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6717STOB | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6717STOB | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6717STZ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6718 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6718 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6718 TR TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Med Power | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6718-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6718-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 100V 1A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6718-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6718-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 100V 1A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6718-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6718L | N/A | 09+ | на замовлення 4718 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6718STOA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6718STOB | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6718STZ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6719 | onsemi | Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO237 Packaging: Bulk Package / Case: TO-237AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-237 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6719 | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6719 | onsemi | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6719 TRC TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO237 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-237AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-237 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6719 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Med Power | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N672 | MOT | CAN | на замовлення 288 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6724 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 40V 1A TO237 Packaging: Bulk Package / Case: TO-237AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-237 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6724-18 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN DARL 40V 2A TO237 Packaging: Bulk Package / Case: TO-237AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 1MHz Supplier Device Package: TO-237 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6725 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 50V 1A TO237 Packaging: Bulk Package / Case: TO-237AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-237 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6725 | NTE Electronics, Inc. | Silicon NPN Darlington Transistor | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6725 | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN Darlington | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6726 | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 2A TO237 Packaging: Bulk Package / Case: TO-237AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-237 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6727 | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6727 Код товару: 15189
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N6727 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6727 | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 2A TO237 Packaging: Bulk Package / Case: TO-237AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 500MHz Supplier Device Package: TO-237 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6727 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6727 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Darlington | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6728 Код товару: 99891
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N6729 | MICROSS/On Semiconductor | Description: DIE TRANS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6729 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6729 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N673 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N6730 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6730 Код товару: 140184
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N6730 | на замовлення 1622 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N6730 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS PNP 100V 2A TO237 | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6730 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 100V 2A TO-237 Packaging: Bulk Package / Case: TO-237AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 1V Frequency - Transition: 500MHz Supplier Device Package: TO-237 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6730 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6731 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6731 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6731 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6732 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6732 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6739 | Harris Corporation | Description: TRANS NPN 350V 8A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 4A, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 3V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 100 W | на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N673A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N674 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N674A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N675 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N6751 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6751 | Harris Corporation | Description: TRANS NPN 400V 10A TO3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6752 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6753 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6754 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6755 | International Rectifier | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6755 | PHIL | 01+ TO-3 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6756 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6756 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6756 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6756 | Microchip Technology | MOSFET N Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6756 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6757 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 65 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6757 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6758 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6758 | Microsemi Commercial Components Group | Description: MOSFET N-CH 200V TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 513 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6759 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6759 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N675A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N676 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N6760 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6760 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6760 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6760 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6760TXV | Harris Corporation | Description: 5.5A, 400V, 1OHM, N-CHANNEL Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA Packaging: Bulk | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N6761 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N6762 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

