Продукція > BC5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC560C | LGE | PNP 100mA 30V 500mW 150MHz 420 < beta < 800 Low Noise BC560C TBC560c кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 590 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC560C | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560C | JSMicro Semiconductor | Transistor PNP; 800; 625mW; 45V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC560CBU; BC560CG; BC560C JSMICRO TBC560c JSM кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC560C Код товару: 162667
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BC560C | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560C | CDIL | PNP, TO-92_BULK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560C | LGE | PNP 100mA 30V 500mW 150MHz 420 < beta < 800 Low Noise BC560C TBC560c кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC560CB | FAIRCHILD | на замовлення 68250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BC560CBU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CBU | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CBU | Renesas / Intersil | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CG Код товару: 31499
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 Гранична частота fT, MHz: 250 MHz Напруга Uке, V: 45 V Напруга Uкб, V: 50 V Струм Iк, A: 0,1 A Коефіцієнт підсилення h21, max: 800 УКТЗЕД: 8541 21 00 90 | товару немає в наявності
|
| ||||||||||
| BC560CG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CG | On Semiconductor | PNP, TO-92_BULK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CG | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 100mA; 500mW; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 150MHz Power: 0.5W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Box | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC560CG | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CTA | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CTA | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CTA | ONS/FAI | PNP, 45 V, 100 mA, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CTA | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CTA | onsemi | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CTA | On Semiconductor | Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 150MHz 500mW Through Hole TO-92-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CTA транзистор Код товару: 198500
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BC560CTAR | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CTAR | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CZL1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CZL1 | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CZL1G | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CZL1G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560CZL1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560C_D74Z | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560C_D74Z | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560C_J35Z | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP LOW NOISE AMPLIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560C_J35Z | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560C_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC560_J35Z | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC56PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.65W Bauform - Transistor: SOT-1061 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC56PA Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSON Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PA,115 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.65W; DFN2020-3,SOT1061 Mounting: SMD Collector current: 1A Power dissipation: 1.65W Current gain: 63...250 Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 180MHz Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: DFN2020-3; SOT1061 Type of transistor: NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSON Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) | на замовлення 5792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC56PA/SOT1061/HUSON3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin HUSON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PA-QX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin HUSON Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PA-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC56PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.65W euEccn: NLR Verlustleistung: 1.65W Bauform - Transistor: SOT-1061 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PA-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSON Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PA-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1061 80V 1A NPN M EDPWR BJT | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PA-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC56PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.65 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.65W Bauform - Transistor: SOT-1061 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PA-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 1A 3HUSON Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-PowerUDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 5930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PA-QX | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.65W; DFN2020-3,SOT1061 Mounting: SMD Collector current: 1A Power dissipation: 1.65W Current gain: 63...250 Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 180MHz Application: automotive industry Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: DFN2020-3; SOT1061 Type of transistor: NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PA115 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BC56PA - SMALL SIGN Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PAS-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN medium power transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PAS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC56PAS-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 420 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PAS115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PAST-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC56PAST-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PAST-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN medium power transistors | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PAST-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BC56PAST-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PASTX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN medium power transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PASTX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC56PASTX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PASTX | Nexperia USA Inc. | Description: BC56PAST/SOT1061/HUSON3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN2020D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PASTX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC56PASTX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DFN2020D Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC56PAST Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PASX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 1A DFN2020D-3 Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020D-3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | на замовлення 5715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PASX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PASX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PASX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PASX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PASX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC56PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: DFN2020D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PASX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 1A DFN2020D-3 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 420 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020D-3 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PASX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PASX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PASX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1061 80V 1A NPN MEDPWR BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PASX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC56PASX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1650mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC56PASX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC56PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 420 mW, DFN2020D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: DFN2020D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC5705KFB | BROAD | 07+ BGA; | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57E687AEUF | CSR | на замовлення 718 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BC57E687B-ITB-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 169TFBGA Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 8dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Type: TxRx + MCU Memory Size: 8MB ROM, 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Package / Case: 169-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) DigiKey Programmable: Not Verified RF Family/Standard: Bluetooth | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57E687B-ITB-E4 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC57E687B-ITB-E4D | CSR | BGA | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57E687BU | CSR-PBF | 07+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57E687C-ATB-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLUTOOTH 144TFBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 144-TFBGA Frequency: 2.4GHz Type: TxRx + MCU Voltage - Supply: 2.7V ~ 4.5V Power - Output: 6.5dBm Protocol: Bluetooth v2.0 +EDR, Class 2 and 3 RF Family/Standard: Bluetooth DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57E687C-ATB-E4 | Qualcomm | BLUECORE 5-MULTIMEDIA EXTERNAL, SINGLE CHIP BLUETOOTH V2.1 + EDR SYSTEM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57E687C-ATB-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLUTOOTH 144TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 144-TFBGA Frequency: 2.4GHz Type: TxRx + MCU Voltage - Supply: 2.7V ~ 4.5V Power - Output: 6.5dBm Protocol: Bluetooth v2.0 +EDR, Class 2 and 3 RF Family/Standard: Bluetooth DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57E687C-ATB-E4-T | Qualcomm | Description: IC RF TXRX Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57E687C-GITB-E4 | Qualcomm | SINGLE CHIP BLUETOOTH V2.1 + EDR SYSTEM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57E687C-GITB-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLUTOOTH 169TFBGA Part Status: Obsolete Serial Interfaces: I²C, I²S, UART, USB RF Family/Standard: Bluetooth GPIO: 16 Supplier Device Package: 169-TFBGA (8x8) Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 8dBm Voltage - Supply: 1.5V Type: TxRx + MCU Memory Size: 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -90dBm Package / Case: 169-TFBGA Packaging: Cut Tape (CT) DigiKey Programmable: Not Verified Data Rate (Max): 3Mbps | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57E687C-GITB-E4 | RF360 | Qualcomm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57E687C-GITB-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLUTOOTH 169TFBGA Memory Size: 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -90dBm Package / Case: 169-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete Serial Interfaces: I²C, I²S, UART, USB RF Family/Standard: Bluetooth GPIO: 16 Supplier Device Package: 169-TFBGA (8x8) Data Rate (Max): 3Mbps Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 8dBm Voltage - Supply: 1.5V DigiKey Programmable: Not Verified Type: TxRx + MCU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57E687C-GITB-E4 | Qualcomm | SINGLE CHIP BLUETOOTH V2.1 + EDR SYSTEM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57E687CG | CSR | 08+ | на замовлення 56 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57F687A04-IQF-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 68QFN DigiKey Programmable: Not Verified RF Family/Standard: Bluetooth Supplier Device Package: 68-QFN (8x8) Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 8dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Type: TxRx + MCU Memory Size: 8MB ROM, 28kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -90dBm Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC57F687A04-IQF-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 68QFN DigiKey Programmable: Not Verified RF Family/Standard: Bluetooth Supplier Device Package: 68-QFN (8x8) Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 8dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Type: TxRx + MCU Memory Size: 8MB ROM, 28kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -90dBm Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC57F687A04-ITN-E4 | CSR PLC | Description: IC BLUEVOX DSP UART/USB 120TFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57F687A04-ITN-E4 | CSR PLC | Description: IC BLUEVOX DSP UART/USB 120TFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57F687A05-IQF-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 68QFN DigiKey Programmable: Not Verified RF Family/Standard: Bluetooth Supplier Device Package: 68-QFN (8x8) Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 7dbm Voltage - Supply: 2.7V ~ 4.4V Type: TxRx + MCU Memory Size: 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -90dBm Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57F687A05-IQF-E4 | Qualcomm | Description: IC RF TXRX+MCU BLE 68QFN DigiKey Programmable: Not Verified RF Family/Standard: Bluetooth Supplier Device Package: 68-QFN (8x8) Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2 and 3 Power - Output: 7dbm Voltage - Supply: 2.7V ~ 4.4V Type: TxRx + MCU Memory Size: 48kB RAM Frequency: 2.4GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -90dBm Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| BC57G687C-ANN-E4 | Qualcomm | BC57G687C-ANN-E4^QUALCOMM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57G687C-ANN-E4 | CSR PLC | Description: IC BC5 MULTIMEDIA FLASH 105LFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC57G687C-ANN-E4 | CSR PLC | Description: IC BC5 MULTIMEDIA FLASH 105LFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

