Продукція > DTC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DTC143ECA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143ECA | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 1 NPN - BIAS PRESET 200MW 100MA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143ECA | LGE | NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR ODPOWIEDNIK: DTC143ECA-YAN; DTC143ECA-LGE; DTC143ECAHZGT116; DTC143ECA SOT23 LGE TDTC143eca LGE | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143ECA | Microdiode Electronics (MDD) | DTC143ECA | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143ECA-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23- | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143ECA-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143ECA-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143ECA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN 4.7KOhms 250MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143ECA-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - DTC143ECA-TP - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143ECA-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143ECA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143ECA-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - DTC143ECA-TP - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143ECAHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: BIPOLAR TRANSISTORS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143ECAHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143ECAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC143ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 3012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1852 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 1379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143ECAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 4.7kO Input Resist | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143ECAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC143ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 3012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143ECAHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ Current gain: 30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143ECAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 100mA 50V w/bias resistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143ECAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143ECAT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC143ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC143E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 27 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143ECAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 1356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1356 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143ECAT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC143ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC143E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EE | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.15W; SOT523; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ | на замовлення 2975 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EE | Yangjie Electronic Technology | DTC143EE | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EE FRATL | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 1602 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EE TL | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 13587 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EE-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EE-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN Digital Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EE-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 5250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC143EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1516 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC143EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTC143EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC143E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 2434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1613 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTC143EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC143E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EEB TL | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 13256 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EEBHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A EMT3F Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-89, SOT-490 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EEBHZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC143EEBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-416FL Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EEBHZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-416FL 4.7kO Input Resist | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EEBHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A EMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-89, SOT-490 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EEBHZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC143EEBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-416FL Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EEBMGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 100MA 50V SC-89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 75180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC143EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416FL Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC143E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 8716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC143EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416FL Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC143E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 75180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EET1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 87330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EET1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EET1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 87330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EET1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC143EET1 - DTC143EET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EET1G | ON-Semiconductor | NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+4.7k DTC143EET1G TDTC143eet1g кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-75 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 36210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 175402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 11167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 651000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-75 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 651000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EET1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 316290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 11167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-75 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 36210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EET1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ Current gain: 30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 87436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 100MA | на замовлення 29470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 60879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC143EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EETL (транзистор) Код товару: 45514
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC143EK | ROHM | 09+ | на замовлення 16718 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EK FRAT146 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EK HRAT146 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 1064 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EK(23) | ROHM | 97+ SOT-23 | на замовлення 15999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EKA | ROHM | SOT23 | на замовлення 17410 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC143EKA T146 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 2727 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

