Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD87501LTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 10-Pin PicoStar T/R
на замовлення 122229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
771+46.02 грн
1000+42.44 грн
10000+37.84 грн
100000+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 771 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87501LTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-Picostar (3.37x1.47)
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.74 грн
6000+24.18 грн
9000+23.88 грн
15000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87501LTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-Picostar (3.37x1.47)
Part Status: Active
на замовлення 161229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87501L
Код товару: 187022
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87501LTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 10-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87501LTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 10-Pin PicoStar T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
771+46.02 грн
1000+42.44 грн
10000+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 771 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87501LTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-Picostar (3.37x1.47)
Part Status: Active
на замовлення 19718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+38.29 грн
25+34.46 грн
100+28.38 грн
250+26.50 грн
500+25.36 грн
1000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87501LTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 10-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87501LTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-Picostar (3.37x1.47)
Part Status: Active
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+38.73 грн
500+35.76 грн
750+35.00 грн
1250+32.05 грн
1750+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87501LTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 10-Pin PicoStar T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+73.20 грн
538+65.88 грн
1000+60.76 грн
Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87501LTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
Packaging: Bulk
Package / Case: 10-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-Picostar (3.37x1.47)
Part Status: Active
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87501LTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 10-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87501LTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 10-Pin PicoStar T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+40.05 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87501LTTexas InstrumentsMOSFETs 30V Dual N-Ch Common Drain NexFET A 595- A 595-CSD87501L
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.92 грн
10+49.38 грн
100+35.41 грн
500+33.27 грн
1000+31.96 грн
2500+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87501LTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 10PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-Picostar (3.37x1.47)
Part Status: Active
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.23 грн
10+49.96 грн
25+45.14 грн
100+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87501LTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 10-Pin PicoStar T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+73.20 грн
538+65.88 грн
1000+60.76 грн
Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87502Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87502Q2Texas InstrumentsMOSFETs 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual SON 2 mm x 2, 42 mOhm, gate ESD protection 6-WSON -55 to 150
на замовлення 6832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.73 грн
15+21.91 грн
100+15.33 грн
500+14.84 грн
1000+14.29 грн
3000+12.43 грн
24000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87502Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87502Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 353pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 34703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
13+23.03 грн
25+20.61 грн
100+16.81 грн
250+15.60 грн
500+14.87 грн
1000+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87502Q2Texas InstrumentsMOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87502Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 353pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.97 грн
6000+14.03 грн
9000+13.83 грн
15000+12.78 грн
21000+12.66 грн
30000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87502Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87502Q2T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.027 ohm, WSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87502Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 353pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 12727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.44 грн
10+54.44 грн
25+49.15 грн
100+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87502Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87502Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87502Q2T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.027 ohm, WSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Bauform - Transistor: WSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87502Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87502Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 353pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+42.16 грн
500+38.93 грн
750+38.09 грн
1250+34.87 грн
1750+34.37 грн
2500+33.88 грн
6250+32.29 грн
12500+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87502Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.76 грн
25+44.68 грн
100+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87502Q2TTexas InstrumentsMOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A 595-CSD87502Q2
на замовлення 6115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.87 грн
10+38.98 грн
100+27.68 грн
500+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87503Q3ETexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87503Q3ETexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 10A 8-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87503Q3ETexas InstrumentsMOSFETs 30-V Dual N-Channel MOSFET
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.04 грн
10+61.45 грн
100+44.32 грн
500+42.59 грн
1000+41.14 грн
2500+39.63 грн
5000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87503Q3ETexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.64 грн
10+64.09 грн
25+58.00 грн
100+48.15 грн
250+45.15 грн
500+43.35 грн
1000+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87503Q3ETexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 10A 8-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87503Q3ETTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.82 грн
10+83.91 грн
25+76.25 грн
100+63.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87503Q3ETTexas InstrumentsMOSFETs 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3E
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.56 грн
10+75.10 грн
100+54.12 грн
500+51.09 грн
1000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87503Q3ETTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 10A 8-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87503Q3ETTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+53.22 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87503Q3ETTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 30V 10A 8-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87588NTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-PTAB (3x2.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 736pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-XFLGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+61.40 грн
25+55.58 грн
100+46.11 грн
250+43.23 грн
500+41.49 грн
1000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87588NTexas InstrumentsPower Block 5-Pin PTAB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87588NTexas InstrumentsPower Block 5-Pin PTAB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87588NTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 736pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-XFLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-PTAB (3x2.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87588NTexas InstrumentsMOSFETs Sync Buck NexFET Power Block II
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+51.05 грн
100+37.55 грн
500+36.86 грн
1000+36.17 грн
2500+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87588NTexas InstrumentsPower Block 5-Pin PTAB T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87588NTexas InstrumentsPower Block 5-Pin PTAB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87588NEVM-603Texas InstrumentsHigh Frequency Synchronous Power Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87588NEVM-603Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools CSD87588N EVAL MOD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7113.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87588NEVM-603Texas InstrumentsDescription: EVAL BOARD CSD87588N TPS51219
Packaging: Box
Voltage - Output: 1V
Voltage - Input: 8V ~ 20V
Current - Output: 25A
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 300kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: CSD87588N, TPS51219
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5494.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87588NTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-LGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 736pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-PTAB (5x3.5)
Part Status: Active
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.28 грн
10+77.63 грн
25+70.45 грн
100+58.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87588NTTexas InstrumentsPower Block 5-Pin PTAB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87588NTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-LGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 736pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-PTAB (5x3.5)
Part Status: Active
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+45.21 грн
500+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87588NTTexas InstrumentsPower Block 5-Pin PTAB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87588NTTexas InstrumentsMOSFETs Sync Buck NexFET Pwr Block II A 595-CSD8 A 595-CSD87588N
на замовлення 6991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.53 грн
10+71.69 грн
100+45.29 грн
500+43.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87588NTTexas InstrumentsPower Block 5-Pin PTAB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD882MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - CSD882 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 10W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.52 грн
36+22.63 грн
100+19.89 грн
500+12.94 грн
1000+10.63 грн
5000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD882H-PCDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 3A; 10W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 3A
Power dissipation: 10W
Case: TO126
Current gain: 30...400
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
40+11.45 грн
65+6.40 грн
75+5.73 грн
250+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.66 грн
10+97.52 грн
100+66.25 грн
500+49.62 грн
1000+45.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537ND
Код товару: 118288
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.92 грн
10+82.96 грн
100+60.16 грн
500+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDTexas InstrumentsMOSFETs 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-CSD88537NDT
на замовлення 12981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.98 грн
10+76.45 грн
100+45.77 грн
500+36.24 грн
1000+33.14 грн
2500+29.75 грн
5000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.61 грн
5000+41.05 грн
7500+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.16 грн
500+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDG4Texas InstrumentsMOSFETs 60-V, N channel NexFET power MOSFET, dual SO-8, 15 mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537NDT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.1W
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.69 грн
10+89.97 грн
100+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88537NDT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.61 грн
10+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDTTexas InstrumentsMOSFETs 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD88537ND
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.14 грн
10+96.85 грн
100+37.76 грн
500+37.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+42.94 грн
500+39.01 грн
750+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88537NDTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 60V 15A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDTexas InstrumentsMOSFETs 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88539NDT
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.95 грн
10+70.34 грн
100+40.38 грн
500+31.69 грн
1000+28.93 грн
2500+25.82 грн
5000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDTexas InstrumentsPower Block 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDTexas InstrumentsTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 34mOhm; 15A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; CSD88539NDT CSD88539ND TCSD88539nd
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.54 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDTexas InstrumentsPower Block 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.57 грн
5000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+52.80 грн
100+34.79 грн
500+26.18 грн
1000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD88539ND - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 15 A, 15 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.23 грн
14+58.55 грн
100+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDTexas InstrumentsPower Block 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDG4Texas InstrumentsMOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET dua
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDTTexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDTTexas InstrumentsPower Block 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDTTEXAS INSTRUMENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+97.54 грн
10+60.58 грн
25+47.03 грн
100+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+37.36 грн
500+32.56 грн
750+30.82 грн
1250+27.08 грн
1750+25.99 грн
2500+24.94 грн
6250+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDTTexas InstrumentsMOSFETs 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD A 595-CSD88539ND
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.45 грн
10+79.23 грн
100+39.83 грн
500+34.17 грн
1000+30.79 грн
2500+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDTTexas InstrumentsPower Block 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88539NDTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
на замовлення 6766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.52 грн
10+62.30 грн
100+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88584Q5DCTexas InstrumentsMOSFETs 40-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD88584Q5DCT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88584Q5DCTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 22-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400pF @ 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 12W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerTFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88584Q5DCTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerTFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 22-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.28 грн
10+214.19 грн
100+152.06 грн
500+124.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88584Q5DCTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerTFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 22-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.56 грн
10+256.52 грн
100+203.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD88584Q5DCTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerTFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 22-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32  [ Наступна Сторінка >> ]