Продукція > ES1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ES1JL | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JL | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - ES1JL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 25 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Multicomp Pro Rectifier Diodes productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JL | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Case: subSMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Capacitance: 8pF | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JL | Taiwan Semiconductor | Super Fast, 1.0A, 600V, Vf=1.70V@1.0A, Trr=35ns, SubSMA (SMD) Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 22625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JL M2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 600V Super F ast Recovery Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL M2G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JL MHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL MQ | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL MQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL MTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL R2 | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JL R2 | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JL R2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL R2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL R2G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL R3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JL R3G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMD Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1J productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL R3G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMD Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1J productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL RHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL RQ | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL RQ | ES1JL RQ Диоды Ultra fast | на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ES1JL RQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL RQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL RT | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL RTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL RU | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL RUG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL RUG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL RV | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL RVG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JL RVG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA | на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JL RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 600V Super F ast Recovery Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JL-06 | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying Type of diode: rectifying | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JL-06 | Taiwan Semiconductor | 1.0AMP. SURFACE MOUNT SUPER FAST RECTIFIERS | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JL-09 | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying Type of diode: rectifying | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JLH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLH | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHM2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 600V Super F ast Recovery Rect | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHMHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHMQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHMTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHR2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHR2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHR2G | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHR3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHRFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHRHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHRHG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHRHG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 600V Super F ast Recovery Rect | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHRQ | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHRQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHRQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHRTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHRUG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A Automotive 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JLHRUG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHRUG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 600V Super F ast Recovery Rect | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHRVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 600V Super F ast Recovery Rect | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLHRVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLW | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JLW - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123W Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 2010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JLW | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123W T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JLW | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLW | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SOD123W; Ufmax: 1.7V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SOD123W Max. forward voltage: 1.7V Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLW | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JLW - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123W Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JLW | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123W T/R | на замовлення 10152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JLW | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLW | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123W T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLW | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 10385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JLW | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1JLW - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123W Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JLW RQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLW RVG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123W T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLW RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLW RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | на замовлення 11960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLWH | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SOD123W; Ufmax: 1.7V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SOD123W Max. forward voltage: 1.7V Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLWH | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123W T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLWH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLWH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLWH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| ES1JLWHRQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLWHRVG | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1A 35ns Automotive 2-Pin SOD-123W T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLWHRVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLWHRVG | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1A 35ns Automotive 2-Pin SOD-123W T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLWHRVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 600V, Super Fast Recovery Rectifier | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ES1JLWS | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 1.68V@500MA 25NS 500MA 600V SOD- Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

