Продукція > NTM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTMT125N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin TDFN EP Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT125N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT130N70GN1TXGonsemiGaN FETs GaN FET, 700V,101m, 8x8
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; TDFN4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 192W
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Case: TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HFonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+215.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.121 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.121 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 192W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.121ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT150N65S3HFonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V
на замовлення 22620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.10 грн
10+357.24 грн
50+284.66 грн
100+245.24 грн
500+238.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT170N70GN1TXGonsemiGaN FETs GaN FET, 700V, 132m, 8x8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 168-177 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT185N60S5HonsemiMOSFETs SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT185N60S5HonsemiDescription: SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 129W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 16A 4-Pin TDFN EP Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 129W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 129W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 129W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Power dissipation: 129W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 45A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HonsemiMOSFETs SF3 FAST 190MOHM PQFN88
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HFonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 162W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 162W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 FRFET 650V 190MOHM PQFN88
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HFonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+544.75 грн
10+355.35 грн
50+282.79 грн
100+243.50 грн
500+235.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT190N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CLTXGonsemiMOSFETs T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CLTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 398.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 398.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.81mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V
на замовлення 4423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.71 грн
10+186.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 56.9A 8-Pin DFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CLTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 398.2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 398.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.81mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+158.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 56.9A 8-Pin DFNW EP T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+625.33 грн
10+619.39 грн
25+613.45 грн
100+585.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 56.9A 8-Pin DFNW EP T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+619.39 грн
25+613.45 грн
100+585.81 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 53.7A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 376A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 30 V
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.72 грн
10+205.07 грн
50+159.43 грн
100+135.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 53.7A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CTXGonsemiMOSFETs T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI
на замовлення 6658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CTXGON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 376 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8705, Qg, нКл = 113, Rds = 0,91, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 244, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS001N06CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 376A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N08MCON SemiconductorMOSFET PTNG 80V IN CEBU PQFN88 FOR INDUSTRIAL MARKET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N08MConsemiDescription: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 229A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 540µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 40 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.94 грн
10+342.75 грн
50+272.60 грн
100+234.66 грн
500+226.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N08MConsemiDescription: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 229A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 540µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N08MCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 229A; Idm: 3577A; 208W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 229A
Pulsed drain current: 3577A
Power dissipation: 208W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N10MCTXGonsemiDescription: PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+226.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N10MCTXGonsemiDescription: PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Ta), 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 520µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6305 pF @ 50 V
на замовлення 5176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+569.83 грн
10+372.79 грн
100+272.99 грн
500+250.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS002N10MCTXGonsemiMOSFETs PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 2.0 MOHMS MAX
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CLTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CLTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 553.8A; Idm: 900A; 122W
Drain current: 553.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power88
On-state resistance: 0.4mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 122W
Gate charge: 163nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CLTXGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 558A; Idm: 900A; 122W; Power88
Drain current: 558A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power88
On-state resistance: 450µΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 122W
Gate charge: 251nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CTXGONN
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CTXGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V SG NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D4N04CTXGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V SG NCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CLTXGonsemiMOSFETs T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CLTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 554.5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 554.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+170.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 78.9A 8-Pin DFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CLTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 554.5A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 554.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.18 грн
10+275.42 грн
100+198.27 грн
500+155.01 грн
1000+153.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CLTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 78.9A 8-Pin DFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 533A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 76A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 76A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+179.15 грн
500+169.72 грн
1000+160.29 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMTS0D6N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 533 A, 480 µohm, Power 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 533A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: Power 88
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2056 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 533A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 76A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 533A, 0.48mohm, PQFN 8x8
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N04CLTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 67A/433A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.63mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12238 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.94 грн
10+434.53 грн
100+362.14 грн
500+299.87 грн
1000+269.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N04CLTXGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL NCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N04CLTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 67A/433A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.63mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12238 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N04CLTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V LL NCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 65A/420A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9230 pF @ 25 V
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.93 грн
10+244.02 грн
100+174.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N04CTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 40V SG NCH
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N04CTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 420A; Idm: 900A; 103W; Power88
Case: Power88
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 900A
Drain current: 420A
Drain-source voltage: 40V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 670µΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 65A/420A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.9W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N06ConsemiMOSFET AFSM T6 60V SG NCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N06CLTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.2A (Ta), 477A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.26 грн
10+233.23 грн
50+182.49 грн
100+155.93 грн
500+137.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N06CLTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V LL NCH
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N06CLTXGOn SemiconductorMOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N06CLTXGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N06CLTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.2A (Ta), 477A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N06CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60.5A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11535 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+114.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N06CTXGonsemiMOSFETs AFSM T6 60V SG NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N06CTXGOn SemiconductorMOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N06CTXGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D7N06CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60.5A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11535 pF @ 30 V
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.66 грн
10+202.06 грн
100+143.58 грн
500+126.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D2N08HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 335A; Idm: 900A; 150W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 147nC
Drain current: 335A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D2N08HonsemiDescription: T8-80V IN PQFN88 FOR INDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D2N08HonsemiMOSFETs T8-80V IN PQFN88 FOR INDUSTRIAL MARKET
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D2N08HonsemiDescription: T8-80V IN PQFN88 FOR INDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 335A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V
на замовлення 2224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.16 грн
10+342.37 грн
50+272.34 грн
100+234.44 грн
500+226.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D2N08HON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D5N08HonsemiDescription: T8-80V IN PQFN88 FOR INDU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8220 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D5N08HonsemiMOSFET T8-80V IN PQFN88 FOR INDUSTRIAL MARKET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D5N08HonsemiDescription: T8-80V IN PQFN88 FOR INDU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8220 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D5N08HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 255A; Idm: 900A; 83W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 83W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 125nC
Drain current: 255A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D5N08HONN
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D5N08MConsemiMOSFETs PTNG 80V IN CEBU PQFN88 FOR INDUSTRIAL MARKET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D5N08MConsemiDescription: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V
на замовлення 11997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+636.46 грн
10+419.06 грн
50+336.11 грн
100+291.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS1D5N08MConsemiDescription: PTNG 80V IN CEBU PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+263.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.