Продукція > NTM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 23 24 25 26 27 28 29 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTMS4920NR2GonsemiMOSFET 30V 136A 4.3 mOhm Single N-Chan SO-8
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4920NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
на замовлення 8435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
872+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 872 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4920NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4920NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4920NR2GON Semiconductor
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4920NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4935NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3639 pF @ 25 V
на замовлення 198360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+67.68 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4935NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3639 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4937NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2563 pF @ 25 V
на замовлення 191045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 419 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4937NR2GON Semiconductor
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4937NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2563 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4937NR2GON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 112A 6.5 mOhm Single
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4937NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2563 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4939NR2GON Semiconductor
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4939NR2GON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 100A 8.4 mOhm Single
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4939NR2GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
на замовлення 199308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4939NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4N01ON07+ SO-8
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4N01R2ON0049+
на замовлення 26215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4N01R2ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4N01R2 - NTMS4N01R2, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4N01R2onsemiDescription: MOSFET PWR N-CHAN 4.2A 20V 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 17191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1285+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 1285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4N01R2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4N01R2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
на замовлення 4168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
950+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4N01R2G
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4P01R2onsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.4A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4P01R2onsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5835NLR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5835NLR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 20 V
на замовлення 22538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 1665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5N02MOT09+ SO-8
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5N03MOT09+ SO-8
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02ON07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2ON
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
760+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 760 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2GOn SemiconductorSO-8 MOSFET Power -20V -5.4A P-Channel Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+62.65 грн
100+48.86 грн
500+37.88 грн
1000+29.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2GonsemiMOSFETs -20V -5.4A P-Channel
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2GON
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2SGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
на замовлення 7125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS5P02R2SG - MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS7N03ON07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS7N03G
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS7N03R2ON06+ SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS7N03R2onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
на замовлення 58468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1519+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 1519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS7N03R2onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS7N03R2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS7N03R2GON SemiconductorMOSFET 30V 7A N-Channel
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS7N03R2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS7N03R2GON
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102MOT09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102LON07+ SO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102LR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102LR2
на замовлення 21225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102LR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102LR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMSD2P102LR2G - NTMSD2P102LR2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102R2
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102R2ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMSD2P102R2 - MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102R2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMSD2P102R2SG - MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P102R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P102R2
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P102R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P102R2G
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P102R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
на замовлення 25120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 802 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P102R2SG
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P1SR2
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P303ON07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P303R2ONO523
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P303R2G
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P303R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD6N03R2G
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD6N303R2ON07+ SO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD6N303R2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD6N303R2G
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD6N303R2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD6N303R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD6N303R2SG
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD6N3SR2G
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD6P02R2G
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 6596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+833.19 грн
10+559.22 грн
100+484.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+615.32 грн
50+542.69 грн
100+433.36 грн
250+425.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS PQFN88 650V
на замовлення 5819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+410.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+876.25 грн
5+774.64 грн
10+672.22 грн
50+591.75 грн
100+415.94 грн
250+407.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5FonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FRFET, 600 V, 61 mohm, 41 A, Power88
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5FONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 41A; Idm: 146A; 255W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 41A
Power dissipation: 255W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 146A
Gate charge: 76nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5FONN
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 61MOHM, PQFN88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 20.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 4.6mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 400 V
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+708.57 грн
10+468.95 грн
100+357.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 61MOHM, PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 20.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 4.6mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3HON Semiconductor
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3HonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+270.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+641.33 грн
5+560.05 грн
10+478.77 грн
50+409.09 грн
100+330.25 грн
250+323.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3HonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+605.10 грн
10+398.98 грн
100+318.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 23 24 25 26 27 28 29 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]