Продукція > RS1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RS1DLHRQGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLHRTGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sub SMA
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLHRUGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLHRVGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLWTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLWTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 12350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
25+12.12 грн
100+7.58 грн
500+5.24 грн
1000+4.64 грн
2000+4.13 грн
5000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLWTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns, 1A, 200V, Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLWTaiwan SemiconductorDiode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLW RQGTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns, 1A, 200V, Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLW RVGTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns, 1A, 200V, Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLW RVGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLW RVGTaiwan SemiconductorDiode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLW RVGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
12+25.43 грн
100+16.24 грн
500+11.51 грн
1000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLWHTaiwan SemiconductorDiode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLWHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.75 грн
24+12.56 грн
100+7.86 грн
500+5.44 грн
1000+4.81 грн
2000+4.29 грн
5000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLWHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLWHTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns, 1A, 200V, Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLWHRQGTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns, 1A, 200V, Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLWHRVGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
19+16.45 грн
100+11.08 грн
500+8.05 грн
1000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLWHRVGTaiwan SemiconductorDiode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLWHRVGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DLWHRVGTaiwan SemiconductorRectifiers 150ns, 1A, 200V, Fast Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DTRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DWF-HFComchip TechnologyRectifiers RECTIFIER FAST RECOVERY 200V 1A SOD-123FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DWF-HFComchip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DWG-R2-00001PanjitRectifiers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DWG_R1_00001PanjitRectifiers PJ/RS1D/TR/7"/HF/1.8K/SMA-W/FR/SMD/RSM-10AWGH/SY0307356/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1DWG_R2_00001PanjitRectifiers PJ/RS1D/TR/13"/HF/7.5K/SMA-W/FR/SMD/RSM-10AWGH/SY0307356/PJ///
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1D_Qonsemi / FairchildRectifiers 200V 1a Fast Rect SMa
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1D_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+4.28 грн
3600+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1D_R1_00001PanJitRS1D_R1_00001
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1127+14.74 грн
1800+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 1127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1D_R1_00001PanjitRectifiers 200V,Fast Recovery Rectifiers,SMA,1A
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.13 грн
40+8.02 грн
100+4.35 грн
500+3.18 грн
1000+2.55 грн
1800+2.21 грн
3600+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1D_R1_00001Panjit International Inc.Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
27+11.22 грн
100+7.02 грн
500+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1D_R2_00001PanjitRectifiers 200V Fast Recovery Rectifiers 1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E130GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E130GNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+64.83 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E130GNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E130GNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+61.24 грн
299+47.44 грн
500+32.04 грн
1000+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E130GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.02 грн
10+35.45 грн
100+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E150GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+42.11 грн
100+27.39 грн
500+19.76 грн
1000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E150GNTBROHM SemiconductorMOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.18 грн
10+48.82 грн
100+31.69 грн
500+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E150GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E170GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
10+36.35 грн
100+25.17 грн
500+19.74 грн
1000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E170GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E170GNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.94 грн
10+39.54 грн
100+23.40 грн
500+19.61 грн
1000+16.71 грн
2500+15.12 грн
5000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E180BNTBROHM SemiconductorMOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E180BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.70 грн
10+40.98 грн
100+28.48 грн
500+20.87 грн
1000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E180BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200BNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.92 грн
10+53.27 грн
100+31.55 грн
500+26.37 грн
1000+22.44 грн
2500+20.37 грн
5000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200GNTBROHM SemiconductorMOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E200GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 15 V
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.64 грн
10+55.34 грн
100+36.45 грн
500+26.60 грн
1000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E220ATTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.44 грн
10+145.31 грн
100+101.25 грн
500+82.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E220ATTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -22.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 3052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.31 грн
10+164.34 грн
100+99.41 грн
500+81.46 грн
1000+80.77 грн
2500+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E220ATTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 76A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
на замовлення 4888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+41.66 грн
100+29.96 грн
500+23.00 грн
1000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240BNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 6939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.96 грн
10+51.44 грн
100+29.34 грн
500+22.71 грн
1000+20.57 грн
2500+18.29 грн
5000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240GNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+56.02 грн
264+53.77 грн
500+51.82 грн
1000+48.35 грн
2500+43.44 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240GNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.67 грн
10+62.32 грн
100+35.90 грн
500+28.03 грн
1000+25.54 грн
2500+22.71 грн
5000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 10628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+51.83 грн
100+36.80 грн
500+28.43 грн
1000+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240GNTBROHMDescription: ROHM - RS1E240GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 3300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.50 грн
500+24.23 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240GNTBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+56.02 грн
264+53.77 грн
500+51.82 грн
1000+48.35 грн
2500+43.44 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240GNTB
Код товару: 186061
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240GNTBRohmN-Channel NexFET™ Power MOSFET 40V 27A SON8 5x6mm Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.39 грн
5000+22.26 грн
7500+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E240GNTBROHMDescription: ROHM - RS1E240GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 3300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.57 грн
18+45.59 грн
100+33.50 грн
500+24.23 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E260ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1E260ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0025 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.03 грн
500+96.48 грн
1000+85.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E260ATTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 15 V
на замовлення 7154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.81 грн
10+176.05 грн
100+123.63 грн
500+97.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E260ATTB1ROHMDescription: ROHM - RS1E260ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0025 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.45 грн
10+170.74 грн
100+124.03 грн
500+96.48 грн
1000+85.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E260ATTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -26.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.31 грн
10+179.42 грн
100+115.98 грн
500+96.65 грн
2500+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E260ATTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+89.63 грн
5000+84.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E280BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.31 грн
10+54.15 грн
100+35.79 грн
500+26.19 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E280BNTBROHMDescription: ROHM - RS1E280BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.77 грн
500+38.44 грн
1000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E280BNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 8446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.57 грн
10+61.45 грн
100+35.69 грн
500+28.37 грн
1000+25.40 грн
2500+22.16 грн
5000+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E280BNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E280BNTBROHMDescription: ROHM - RS1E280BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2300 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.82 грн
13+64.51 грн
100+42.77 грн
500+38.44 грн
1000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E280GNTBROHM SemiconductorMOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+65.89 грн
100+38.11 грн
500+30.38 грн
1000+27.61 грн
2500+24.37 грн
5000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E280GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+53.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E280GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.52 грн
10+62.30 грн
100+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E280GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E281BNTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E281BNTB1ROHM SemiconductorMOSFET RS1E281BN is low on-resistance and high power small mold package MOSFET for switching application.
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.69 грн
10+144.49 грн
25+118.74 грн
100+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E281BNTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 28A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 15 V
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.04 грн
10+122.73 грн
100+84.23 грн
500+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E300GNTBROHM SemiconductorMOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E300GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1ROHMDescription: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.33 грн
10+110.34 грн
100+82.96 грн
500+57.06 грн
1000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 120A; 33W; HSOP8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39.8nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 33W
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Case: HSOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 30.1A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.71 грн
10+120.67 грн
100+75.25 грн
500+61.16 грн
1000+57.02 грн
2500+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
10+117.49 грн
100+80.66 грн
500+60.91 грн
1000+57.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1ROHMDescription: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.96 грн
500+57.06 грн
1000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E320GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E320GNTBROHM SemiconductorMOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E320GNTBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E321GNTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 32.1A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.95 грн
10+142.11 грн
100+89.74 грн
500+73.18 грн
1000+70.41 грн
2500+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E321GNTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E321GNTB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 15 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.52 грн
10+129.23 грн
100+93.48 грн
500+75.10 грн
1000+69.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]