Продукція > AIM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+615.71 грн
35+405.54 грн
40+355.76 грн
50+339.60 грн
100+265.61 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 20V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.45 грн
30+253.56 грн
60+230.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+615.71 грн
10+405.54 грн
25+355.76 грн
50+339.60 грн
100+265.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R010M1TXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R010M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZHN120R010M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 202 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 750W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R020M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R020M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZHN120R020M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R020M1TXKSA1InfineonN-Channel 1200 V 100A (Tc) 429W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-14 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R040M1TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 140A; 134W
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 134W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R060M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZHN120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R080M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L, 80mohm
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7A, 20V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-14
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.