Продукція > BCR
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCR505E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR505E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BCR505 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 28148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR505E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR505E6778HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR50AM | MODULE | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR50GMG | MITSUBISHI | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR51000FMAHWS | Vishay Electro-Films | Description: BCR 1% +/-250PPM WS Power (Watts): 0.25W, 1/4W Tolerance: ±1% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Packaging: Tray Package / Case: 0202 (0505 Metric) Temperature Coefficient: ±250ppm/°C Size / Dimension: 0.020" L x 0.020" W (0.50mm x 0.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0202 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 5.1 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR5100BGMAHWS | Vishay Electro-Films | Description: BCR 2% +/-250PPM WS Power (Watts): 0.25W, 1/4W Tolerance: ±2% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Packaging: Tray Package / Case: 0202 (0505 Metric) Temperature Coefficient: ±250ppm/°C Size / Dimension: 0.020" L x 0.020" W (0.50mm x 0.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0202 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 51 Ohms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR5100BGMGHWS | Vishay Electro-Films | Description: BCR 2% +/-250PPM WS Power (Watts): 0.25W, 1/4W Tolerance: ±2% Features: Bonding Mountable, Moisture Resistant Packaging: Tray Package / Case: 0202 (0505 Metric) Temperature Coefficient: ±250ppm/°C Size / Dimension: 0.020" L x 0.020" W (0.50mm x 0.50mm) Composition: Thin Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0202 Height - Seated (Max): 0.012" (0.30mm) Resistance: 51 Ohms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR512 Код товару: 72017
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR512 | Infineon Technologies | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR512E6327 Код товару: 162863
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR512E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR512E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BCR512 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 35580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR512E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR512E6327HTSA1 | Infineon | NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR512 TBCR512 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR512E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR512E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR512E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BCR512 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 35580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR512E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR512E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR519 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR521 | Infineon Technologies | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR521 | INFINEON | SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR521E6327 | Infineon | Transistor NPN; Bipolar; 20; 12V; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C~150°C; Substitute: BCR521E6327HTSA1; BCR521E6327; BCR521E6327 TBCR521 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR521E6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR521E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR521E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR521E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR521E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR521E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Resistors Included: R1 and R2 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 100 MHz Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: PG-SOT23 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR521E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR523 | INFINEONINON | 07+ SOT-23 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR523E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR523E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR523E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 17955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR523E6327HTSA1 | Infineon | Tranzystor NPN; 70; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR523E6327HTSA1; BCR523E6433HTMA1; BCR523E6433; BCR523E6327; BCR523E INFINEON; BCR523E6433HTMA1 TBCR523 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 120 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR523E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR523E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR523E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 41826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR523E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR523E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 17955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR523E6327HTSA1 | Infineon | Tranzystor NPN; 70; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR523E6327HTSA1; BCR523E6433HTMA1; BCR523E6433; BCR523E6327; BCR523E INFINEON; BCR523E6433HTMA1 TBCR523 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR523E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-SOT23 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Frequency - Transition: 100 MHz Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR523E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR523E6433 | INFINEON | 06+ | на замовлення 30010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR523E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR523E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR523E6433HTMA1 | Infineon | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR523E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR523E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR523U | INFINEON | 09+ | на замовлення 15018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR523UE6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Power - Max: 330mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SC74-6-1 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 1kOhms Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR523UE6327 | Infineon | NPN 50V 500mA 100MHz 330mW BCR523UE6327 TBCR523u кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR523UE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.33W SC74 Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-SC74-6 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 1kOhms Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Power - Max: 330mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-74, SOT-457 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR523UE6327HTSA1 | Infineon | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR523UE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.33W SC74 Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-SC74-6 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 1kOhms Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Power - Max: 330mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-74, SOT-457 Packaging: Bulk | на замовлення 106000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR523UE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR523UE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR523UE6327HTSA1 - BCR523 - BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 191379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR523UE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR523UE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.33W SC74 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 330mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SC74-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR523UE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR523UE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR5242-AP | Omron Automation and Safety | Description: BAR CODE READER CHASSIS MOUNT Image Type: Monochrome Light Source: Integrated (Red) Sensor Type: CCD Voltage - Supply: 5VDC Termination Style: Cable with Connector Operating Temperature: 0°C ~ 40°C Type: Bar Code Reader Mounting Type: Chassis Mount Packaging: Bulk Scan Rate: 120 scans/s Installation Distance: 35.0mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR5242-AP | Omron Automation and Safety | Discrete Semiconductor Modules OMRON PLC FIXED SCNREND SCAN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR5242-AR | Omron Automation and Safety | Description: BAR CODE READER CHASSIS MOUNT Scan Rate: 120 scans/s Installation Distance: 35.0mm Image Type: Monochrome Light Source: Integrated (Red) Sensor Type: CCD Voltage - Supply: 5VDC Termination Style: Cable with Connector Operating Temperature: 0°C ~ 40°C Type: Bar Code Reader Mounting Type: Chassis Mount Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR5242-AR | Omron Automation and Safety | Discrete Semiconductor Modules COM PORT FIXED SCNREND SCAN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR5242-BP | Omron Automation and Safety | Description: BAR CODE READER CHASSIS MOUNT Scan Rate: 120 scans/s Installation Distance: 15.0mm Image Type: Monochrome Light Source: Integrated (Red) Sensor Type: CCD Voltage - Supply: 5VDC Termination Style: Cable with Connector Operating Temperature: 0°C ~ 40°C Type: Bar Code Reader Mounting Type: Chassis Mount Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR5242-BP | Omron Automation and Safety | Discrete Semiconductor Modules OMRON PLC FIXED SCNRSIDE SCAN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR5242-BR | Omron Automation and Safety | Description: BAR CODE READER CHASSIS MOUNT Scan Rate: 120 scans/s Installation Distance: 15.0mm Image Type: Monochrome Light Source: Integrated (Red) Sensor Type: CCD Voltage - Supply: 5VDC Termination Style: Cable with Connector Operating Temperature: 0°C ~ 40°C Type: Bar Code Reader Mounting Type: Chassis Mount Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR5242-BR | Omron Automation and Safety | Discrete Semiconductor Modules COM PORT FIXED SCNRSIDE SCAN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR533 | Infineon Technologies | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR533E6327 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR533E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR533E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 100 MHz Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: PG-SOT23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR533E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR533E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR533E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BCR533 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 12870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR533E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR533E6327HTSA1 | Infineon | NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 10k+10k BCR533E6327, BCR533E6327HTSA1 BCR533 TBCR533 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR533E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR533E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 100MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR533E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR533E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR533E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR533E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR533E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BCR533 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 12870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR553 | infineon | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR553 | Infineon Technologies | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR553E6327 Код товару: 119368
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR553E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR553E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR | на замовлення 12779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR553E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR553E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR553E6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR553E6327HTSA1 - BCR553 - PNP SILICON DIGITAL TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR553E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR555 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR555 | T | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR555 | Infineon Technologies | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR555E6327 | Infineon | TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR555E6327 Код товару: 125158
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR555E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR555E6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR555E6327HTSA1 - BCR555 - DIGITAL TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR555E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 11081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR555E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR555E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 150MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR555E6327HTSA1 | Infineon | PNP 500mA 50V 150mW BCR555 Infineon TBCR555 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 925 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|

