Продукція > 2N2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N2195B TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 45Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 150mA 20pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2196 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N2197 | MOTOROLA | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2198 | MOT | CAN | на замовлення 391 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2199 | MOT | CAN | на замовлення 619 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N219A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N22 | MOTOROLA | на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N220 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2200 | MOT | CAN | на замовлення 371 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2201 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2201 | Microchip Technology | Description: POWER BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2202 | MOT | CAN | на замовлення 648 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2203 | MOT | CAN | на замовлення 913 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2204 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2205 | MOTOROLA | на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2205 | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2206 | MOT | CAN | на замовлення 541 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2208 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2209 | MOT | CAN | на замовлення 918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N220A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N221 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2210 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2N2214 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2216 | MOT | CAN | на замовлення 329 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2217 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2217A | MOT | CAN | на замовлення 841 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2218 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2218 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2218 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2218 | MOTOROLA | на замовлення 28500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2218 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 3 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2218 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW | на замовлення 219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2218 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2218A | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N2218A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 800 mA, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2218A | MOTOROLA | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2218A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2218A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2218A | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2218A PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2218A PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-39 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-39 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2218A TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 800mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2218A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2218AJTX | National Semiconductor | Description: NPN SILICON SWITCHING TRANS, 30V Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2218AL | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2218AL | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2218AL/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219 | MICROSEMI | TO-39 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219 Код товару: 190857
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2219 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219 | CDIL | NPN 800mA 40V 800mW 300MHz 2N2219 T2N2219 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2219 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 226 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39 Case: TO39 Type of transistor: NPN Mounting: THT Power dissipation: 0.8/3W Collector current: 0.8A Collector-emitter voltage: 40V Frequency: 300MHz Kind of package: bulk Polarisation: bipolar | на замовлення 1004 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2219 | Centralsemi | NPN 40V 0.8A TO-39 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219 | Renesas / Intersil | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 226 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2219 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW | на замовлення 224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2219 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 800MA 800MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219 [A] (транзистор біполярний NPN) Код товару: 39848
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-5 fT: 300 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 75 V Ic,A: 0,8 A h21: 325 | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||
| 2N2219A | STM | TO-39 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219A | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39 Case: TO39 Type of transistor: NPN Mounting: THT Power dissipation: 0.8/3W Collector current: 0.8A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Frequency: 300MHz Kind of package: bulk Polarisation: bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | на замовлення 709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2219A | CDIL | BIPOLAR TRANSISTORS NPN 50V 0.8A TO-39 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE 2N2219A T2N2219a кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2219A | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag | на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2219A | Rectron | Bipolar Transistors - BJT TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219A | CDIL | TO-39 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219A | Central Semiconductor Corp. | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,8, Uceo, В = 40, Ic = 800 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 250, hFE = 40 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+200, Аналог КТ630Б,... Транзистори Корпус: TO-39-3 кількість в упаковці: 500 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219A | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2219A | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 131 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219A | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2219A | MICROSEMI | TO-39/600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N2219 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2219A | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag | на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2219A | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219A PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Box | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219A PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 40V 0.8A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 2246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2219A PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Box | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2219A PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch | на замовлення 3666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2219A PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8W; TO39 Case: TO39 Type of transistor: NPN Mounting: THT Power dissipation: 0.8W Collector current: 0.8A Collector-emitter voltage: 40V Frequency: 250MHz Kind of package: bulk Polarisation: bipolar | на замовлення 421 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2219A TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 800MA 800MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219A TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 800mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219A-B | MCC | 2004 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219A-CDI Код товару: 181199
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N2219A-CDI | CDIL | BIPOLAR TRANSISTORS NPN 50V 0.8A TO-39 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE 2N2219A T2N2219a кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2219A-O-B | Semelab (TT electronics) | High Speed Medium Power, Npn Switching Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219A-O-B | Semelab / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219AE3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Lead-Free Small-Signal BJT THT | на замовлення 345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N2219AE3 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219Ae3/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219AE4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219AE4 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219AE4 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Lead-Free Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219Ae4/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219AJAN | MICROSEMI | TO-39NPN Transistor 2N2219A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N2219AJTXV | National Semiconductor | Description: NPN SILICON SWITCHING TRANS, 30V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

