Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2N2195B TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 45Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 150mA 20pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2196
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2197MOTOROLA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2198MOTCAN
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2199MOTCAN
на замовлення 619 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N219AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N22MOTOROLA
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N220MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2200MOTCAN
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2201Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2201Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2202MOTCAN
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2203MOTCAN
на замовлення 913 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2204MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2205MOTOROLA
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2205Central SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2206MOTCAN
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2208CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2209MOTCAN
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N220AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N221MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2210
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2214CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2216MOTCAN
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2217CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2217AMOTCAN
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218MOTOROLA
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 3 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.84 грн
10+159.00 грн
100+108.23 грн
500+90.08 грн
1000+72.62 грн
5000+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218AMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N2218A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 800 mA, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218AMOTOROLA
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+651.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218A PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218A PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 0.8A TO-39
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.25 грн
10+112.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218A TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 75Vcbo 40Vceo 6.0V 800mA 800mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218AJTXNational SemiconductorDescription: NPN SILICON SWITCHING TRANS, 30V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2218AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219MICROSEMITO-39
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219
Код товару: 190857
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219CDILNPN 800mA 40V 800mW 300MHz 2N2219 T2N2219
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39
Case: TO39
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Power dissipation: 0.8/3W
Collector current: 0.8A
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.46 грн
11+40.51 грн
25+24.38 грн
100+21.94 грн
500+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219CentralsemiNPN 40V 0.8A TO-39 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219Renesas / IntersilBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 0.8A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.03 грн
10+141.76 грн
100+98.33 грн
500+74.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.25 грн
10+150.97 грн
100+91.47 грн
500+74.02 грн
1000+63.68 грн
5000+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 30V 800MA 800MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219 [A] (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 39848
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-5
fT: 300 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,8 A
h21: 325
товару немає в наявності
1+42.00 грн
10+38.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219ASTMTO-39 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219ACDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39
Case: TO39
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Power dissipation: 0.8/3W
Collector current: 0.8A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Frequency: 300MHz
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219AMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+476.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219ACDILBIPOLAR TRANSISTORS NPN 50V 0.8A TO-39 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE 2N2219A T2N2219a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219ARectronBipolar Transistors - BJT TO-39
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219ACDILTO-39 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219ACentral Semiconductor Corp.Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,8, Uceo, В = 40, Ic = 800 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 250, hFE = 40 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+200, Аналог КТ630Б,... Транзистори Корпус: TO-39-3
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219AMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.16 грн
11+79.59 грн
100+64.28 грн
500+49.55 грн
1000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219Aonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219AMICROSEMITO-39/600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N2219
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+457.98 грн
100+409.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219AMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+806.03 грн
25+740.44 грн
50+738.22 грн
100+685.04 грн
250+595.59 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219A PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Box
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219A PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 0.8A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.88 грн
10+147.21 грн
100+102.28 грн
500+77.98 грн
1000+72.19 грн
2000+67.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219A PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Box
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+160.22 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219A PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.40 грн
10+156.59 грн
100+94.97 грн
500+82.40 грн
1000+76.11 грн
2500+70.53 грн
5000+64.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219A PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8W; TO39
Case: TO39
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Power dissipation: 0.8W
Collector current: 0.8A
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 250MHz
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
на замовлення 421 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+316.81 грн
10+198.36 грн
25+169.78 грн
100+137.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219A TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 40V 800MA 800MW TH TRANSISTOR-SM
Packaging: Box
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219A TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0V 800mA 800mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219A-BMCC2004
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219A-CDI
Код товару: 181199
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219A-CDICDILBIPOLAR TRANSISTORS NPN 50V 0.8A TO-39 2N2219A-CDI Bipolarny (BJT) tranz pojedynczy, NPN, 40V, 300MHz 400mW 800mA 20hFE 2N2219A T2N2219a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219A-O-BSemelab (TT electronics)High Speed Medium Power, Npn Switching Transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219A-O-BSemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219AE3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Lead-Free Small-Signal BJT THT
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+537.67 грн
100+491.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219AE3Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219Ae3/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219AE4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 50V 0.8A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219AE4Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219AE4Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Lead-Free Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219Ae4/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219AJANMICROSEMITO-39NPN Transistor 2N2219A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N2219AJTXVNational SemiconductorDescription: NPN SILICON SWITCHING TRANS, 30V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+305.13 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22  Наступна Сторінка >> ]