Продукція > BSR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSR30FNexperia USA Inc.Description: BSR30/SOT89/MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR30FNexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31NexperiaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31 T/RNXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31,115NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 42257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1248+28.34 грн
10000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 1248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
12+25.74 грн
100+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.35 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.35W
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSR31/SOT89/MPT3
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR31,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 1.35 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.35W
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31,135NXP USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31,135NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1248+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 1248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31,135NexperiaBipolar Transistors - BJT BSR31/SOT89/MPT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31,135NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1248+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 1248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31,135NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1248+28.34 грн
10000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 1248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31,135Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31,135NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1248+28.34 грн
10000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 1248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31,135NexperiaTrans GP BJT PNP 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1248+28.34 грн
10000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 1248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31-QFNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31-QFNexperiaBSR31-Q/SOT89/MPT3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31-QFNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT89 60V 1A PNP MED PWR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31-QXNexperiaBSR31-Q/SOT89/MPT3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT89 60V 1A PNP MED PWR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31-QXNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 60V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315P H6327Infineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327Infineon technologies
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.91 грн
50+36.98 грн
100+23.98 грн
500+16.98 грн
1500+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.40 грн
356+39.79 грн
550+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1
Код товару: 165852
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.98 грн
500+16.98 грн
1500+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.48 грн
13+34.89 грн
50+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
936+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 936 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.62A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 20076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.10 грн
100+27.96 грн
500+20.09 грн
1000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316P H6327Infineon
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+38.00 грн
569+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.61 грн
50+34.38 грн
100+23.33 грн
500+16.45 грн
1500+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1091+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 1091 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.13 грн
22+35.76 грн
25+35.47 грн
100+24.43 грн
250+22.51 грн
500+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 91087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
811+17.44 грн
842+16.81 грн
1000+16.27 грн
2500+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 811 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6480+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 6480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1InfineonP-Channel 100V 360mA (Ta) 500mW (Tc) Surface Mount PG-SC-59 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.36A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+35.47 грн
559+25.34 грн
561+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 38069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.56 грн
500+15.40 грн
1500+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1
Код товару: 141413
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR31TADiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 1A SOT-89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR32
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33PHISOT89
на замовлення 52759 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33NexperiaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.35W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.39 грн
200+33.21 грн
500+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89
Power - Max: 1.35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.66 грн
50+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33,115NexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1248+28.34 грн
10000+25.27 грн
100000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 1248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.35W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.23 грн
19+43.16 грн
50+41.78 грн
200+32.30 грн
500+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.35 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33,115
Код товару: 114083
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33,115NexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 19104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1248+28.34 грн
10000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 1248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33,115NXPТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSR33/SOT89/MPT3
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33,115NexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1248+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 1248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33,135Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33,135NexperiaBipolar Transistors - BJT BSR33/SOT89/MPT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33,135Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33,135NexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33-QFNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT89 80V 1A PNP MED PWR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33-QFNexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1189+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 1189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33-QFNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33-QXNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT89 80V 1A PNP MED PWR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33-QXNexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1189+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 1189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-89
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33PAS-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR33PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.79 грн
500+24.61 грн
1000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33PAS-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR33PAS-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020D
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.60 грн
16+54.14 грн
100+34.79 грн
500+24.61 грн
1000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33PAS-QXNexperia USA Inc.Description: BSR33PAS-Q/SOT1061/HUSON3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 480 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33PAS-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT1061/HUSON3 PNP POWER TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33PASXNexperia USA Inc.Description: BSR33PAS/SOT1061/HUSON3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 480 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33PASXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR33PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.92 грн
500+22.57 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33PASXNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT1061/HUSON3 PNP POWER TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33PASXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSR33PASX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1 W, DFN2020D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020D
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.10 грн
17+50.15 грн
100+32.92 грн
500+22.57 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33QTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Trans
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSR33QTADiodes ZetexTrans GP BJT PNP 80V 1A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.93 грн
2000+14.00 грн
3000+13.86 грн
5000+13.24 грн
7000+12.14 грн
10000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]