Продукція > ES6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ES6T48R1KGB3MersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES6T48R1KGCMersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES6T48R1KGN1BMersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES6T48R1KRA3MersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES6T48R1KRCMersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES6T48R1KRN1BMersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES6T48R1KRN6A2MersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES6T48R2CMersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES6T48R2KGN1AMersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES6T48R3KGCMersenDisconnect Switches ENGINEERED FUSIBLE SHUNT TRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U1T2RROHM SemiconductorMOSFET 1.5V Drive Pch+SBD MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U1T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.59 грн
11+29.62 грн
100+18.97 грн
500+13.50 грн
1000+12.11 грн
2000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U2T2RROHM SemiconductorMOSFET ULTRA-LOW OHMIC RESISTOR; 3/4W; PMR18(1206) PKG
на замовлення 7680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U2T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WEMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U3T2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.37 грн
10+32.24 грн
100+22.01 грн
500+16.28 грн
1000+14.84 грн
2000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U3T2CRROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+SBD MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U3T2CRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WEMT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U41T2RROHM SemiconductorMOSFET ULTRA-LOW OHMIC RESISTOR; 3/4W; PMR18(1206) PKG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U41T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A 6WEMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U42T2RRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1A 6WEMT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WEMT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES6U42T2RROHM SemiconductorMOSFET TRANS MOSFET P-CH 20V 1A TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES6W1K0JTE ConnectivityWirewound Resistors - Through Hole ES 6WATT 1K0 5% T/B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES6W1K0JTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 1K OHM 5% 6W AXIAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES6W2R7JTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 2.7 OHM 5% 6W AXIAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES6WR22JTE Connectivity Passive ProductDescription: RES 0.22 OHM 6W 5% AXIAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES6WR22JTE Connectivity / HolsworthyWirewound Resistors - Through Hole ES 6 WATT R22 5% T/B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES6X4-6AC4-5MLAIRDDescription: LAIRD - ES6X4-6AC4-5M - Abschirmstreifen, Profilstreifen, Monel über Neoprenschwamm, 5m x 6mm x 4mm
tariffCode: 75081000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Produktlänge: 5mm
isCanonical: Y
hazardous: false
Schirmung: Profilstreifen
Produktbreite: 6mm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Produkttiefe: 4mm
Grundbestandteil: Monel über Neoprenschwamm
usEccn: EAR99
Produktpalette: ZEMREX ES
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3284.35 грн
10+2726.64 грн
20+2672.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ES6X4-6AC4-FALAIRDDescription: LAIRD - ES6X4-6AC4-FA - Abschirmstreifen, Profilstreifen, Monel über Neoprenschwamm, 10m x 6mm x 4mm
tariffCode: 74198090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Produkttiefe: 4mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Produktlänge: 10mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: ZEMREX ES
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Grundbestandteil: Monel über Neoprenschwamm
Schirmung: Profilstreifen
Produktbreite: 6mm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5675.88 грн
5+5335.15 грн
10+5033.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3