Продукція > F3L
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| F3L75R12W1H3PB11BPSA1 | Infineon Technologies | F3L75R12W1H3PB11BPSA1 | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| F3L75R12W1H3_B27 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 75 A 3-level IGBT module | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| F3L75R12W1H3_B27 Код товару: 218584
Додати до обраних
Обраний товар
| Модульні елементи > Конструктори, модулі для збирання електронних пристроїв | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||
| F3L75R12W1H3_B27 F3L75R12W1H3B27BOMA1 | Infineon | IGBT MOD 1200V 45A 275W Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| F3L8MR12W2M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B Part Status: Active Supplier Device Package: AG-EASY2B Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: 3-Level euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 29Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 20mW Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7210pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 237nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 33mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7210pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 237nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 33mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: 3-Level Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 29Pin(s) Produktpalette: EasyPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|