Продукція > F3L

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
F3L75R12W1H3B11BPSA1Infineon TechnologiesIGBTs 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3B27BOMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 45A 275W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 275 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2174.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3B27BOMA1Infineon TechnologiesIGBT Modules EASY STANDARD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3B27BOMA1INFINEONDescription: INFINEON - F3L75R12W1H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.45 V, 275 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 45A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 275W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 21Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3B27BOMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 45A 275W 22-Pin EASY1B-2 Tray
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4806.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules EASY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3BPSA1Infineon TechnologiesF3L75R12W1H3BPSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3BPSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER EASY AG-EASY1B-311
Packaging: Tray
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2453.34 грн
24+1599.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3BPSA1Infineon TechnologiesF3L75R12W1H3BPSA1
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+3000.78 грн
100+2851.09 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3PB11BPSA1Infineon TechnologiesF3L75R12W1H3PB11BPSA1
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+3706.78 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3PB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER EASY AG-EASY1B-311
Packaging: Tray
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3785.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3PB11BPSA1Infineon TechnologiesF3L75R12W1H3PB11BPSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3PB11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3_B27Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3_B27
Код товару: 218584
Додати до обраних Обраний товар
Модульні елементи > Конструктори, модулі для збирання електронних пристроїв
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F3L75R12W1H3_B27InfineonF3L75R12W1H3_B27 F3L75R12W1H3B27BOMA1 IGBT MOD 1200V 45A 275W Силові IGBT-модулі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F3L8MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17001.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Zweifach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.1mohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA
Supplier Device Package: AG-EASY2B
Part Status: Active
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10482.74 грн
18+8894.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7210pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 237nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 33mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: 3-Level
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, 3-Level, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: 3-Level
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7210pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 237nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 33mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.