Продукція > MUN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MUN2132T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2132T1GonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2132T3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2132T3(6J)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2133onsemionsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2133LT1
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2133LT1G
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2133T1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2133T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2133T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2133T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2133T1ON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2133T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2133T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2133T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2133T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2134T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 33000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2134T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT PNP
на замовлення 13934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2135T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2135T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2136T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 20235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2137T1ON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 27000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2137T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2137T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 693000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2138T1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2138T1GON SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2140T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2140T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14085+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 14085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2140T1GonsemiDigital Transistors SS SC59 BR XSTR NPN 50V
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2140T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2141T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 11539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2141T1GonsemiBipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2141T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2141T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14085+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 14085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2141T1GON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14085+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 14085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2210
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211HuixinDescription: NPN - PRE-BIASED50V100MASOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211HuixinDescription: NPN - PRE-BIASED50V100MASOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211MOT
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211onsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211JT1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211JT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211JT1 - TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
mun2211jt1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 27000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211JT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211JT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211JT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211JT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211JT1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211JT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211JT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211JT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211LT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 96997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5455+6.49 грн
10000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 5455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 96997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 96997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3620+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3620 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1/8A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1BONSOT23/SOT323
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 108300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15874+2.23 грн
100000+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 15874 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.71 грн
6000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
на замовлення 21260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.23 грн
85+4.95 грн
127+3.30 грн
154+2.73 грн
500+1.79 грн
1000+1.59 грн
3000+1.38 грн
6000+1.27 грн
9000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 338mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 21998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1GON-SemiconductorTransistor NPN; 60; 230mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Substitute: MUN2211T3G; MUN2211T1G ONSemiconductors TMUN2211
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.01 грн
9000+4.67 грн
27000+4.57 грн
51000+4.07 грн
102000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.53 грн
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15874+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 15874 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5227+2.71 грн
6000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 5227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15874+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 15874 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 27671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.82 грн
67+11.30 грн
108+6.99 грн
500+4.90 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 338mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 21998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1G
Код товару: 103955
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.93 грн
100+4.90 грн
500+3.35 грн
1000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15874+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 15874 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T3 - MUN2211T3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 4192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
44+6.94 грн
100+4.27 грн
500+2.91 грн
1000+2.55 грн
2000+2.25 грн
5000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 88260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18988+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 18988 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2211T3GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2211T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 88340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212MOTSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212LT1G
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 338 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 5323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5465+6.47 грн
10000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 5465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1ONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2212T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 338 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
35+8.83 грн
100+4.75 грн
500+3.50 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 338 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.23 грн
6000+2.03 грн
9000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 62600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18988+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 18988 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1GONSEMIDescription: ONSEMI - MUN2212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1GonsemiDigital Transistors SS BR XSTR NPN
на замовлення 5606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]