Продукція > MUN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MUN2131T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 20812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2131T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2132 | onsemi | onsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2132LT1 | на замовлення 8400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2132T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN2132T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2132T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 27000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2132T1 | ONS | 0426+ | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2132T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2132T1(6J) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2132T1G | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | на замовлення 303000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2132T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2132T1G | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2132T1G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V | на замовлення 2728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2132T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2132T3 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2132T3(6J) | на замовлення 1735 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2133 | onsemi | onsemi SS SC59 BR XSTR PNP 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2133LT1 | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2133LT1G | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2133T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 237000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2133T1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2133T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 237000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2133T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2133T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN2133T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 237000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2133T1 | на замовлення 17000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2133T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2133T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2133T1G | ON | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN2133T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2133T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2133T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Power - Max: 230 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2134T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 33000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2134T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 13934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2134T1G | ON | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN2135T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2135T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2136T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR PNP 50V | на замовлення 20235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2137T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 27000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2137T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN2137T1 - TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 693000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2137T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 2979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2138T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2138T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2140T1G | onsemi | Digital Transistors SS SC59 BR XSTR NPN 50V | на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2140T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59 Resistor - Base (R1): 47 kOhms Power - Max: 230 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2140T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2140T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59 Resistor - Base (R1): 47 kOhms Power - Max: 230 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2141T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2141T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59 Resistor - Base (R1): 100 kOhms Power - Max: 230 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2141T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2141T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59 Resistor - Base (R1): 100 kOhms Power - Max: 230 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2141T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2210 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2211 | MOT | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN2211 | onsemi | SS SC59 BR XSTR NPN 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| mun2211jt1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211JT1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| mun2211jt1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 27000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| mun2211jt1 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2211JT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN2211JT1 - TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211JT1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2211JT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211JT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211JT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 222000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211JT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN2211JT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 222000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211JT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211JT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2211LT1G | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2211T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 96997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1 | onsemi | Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 96997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN2211T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 96997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1 | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2211T1 | ON | SOT23 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2211T1/8A | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2211T1B | ON | SOT23/SOT323 | на замовлення 4524 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.23W Case: SC59 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 35...60 | на замовлення 27747 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 459000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 1287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 1287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 44941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 31563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 24413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 29443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 159300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 73500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 23453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G Код товару: 103955
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T1G 8A... | ON-Semiconductor | Transistor NPN; 60; 230mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Substitute: MUN2211T3G; MUN2211T1G ONSemiconductors TMUN2211 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T3 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T3 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2211T3 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. |

