Продукція > NTM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 15 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTM88H075T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H077T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H135ST1STMicroelectronicsBoard Mount Pressure Sensors Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H135T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+723.43 грн
5+629.77 грн
10+347.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H145ST1STMicroelectronicsBoard Mount Pressure Sensors Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H145T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+240.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H145T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H155T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+723.43 грн
5+628.97 грн
10+482.83 грн
25+392.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88H155T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+246.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Part Status: Obsolete
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J145ST1STMicroelectronicsBoard Mount Pressure Sensors Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J145ST1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J145T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J155ST1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88J155T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88K135ST1NXP USA Inc.Description: TPMS 4X4 1500KPA XZ AXIS
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-FQFN Exposed Pad
Output Type: SPI
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Pressure: 13.05PSI ~ 220.17PSI (90kPa ~ 1518kPa)
Pressure Type: Differential
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Applications: Industrial Automation
Supplier Device Package: 24-HQFN (4x4)
Port Style: No Port
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88K155ST1STMicroelectronicsBoard Mount Pressure Sensors Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTM88K155ST1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC083NP10M5LONSEMIDescription: ONSEMI - NTMC083NP10M5L - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.0594 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0594ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0594ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.44 грн
500+28.98 грн
1000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC083NP10M5LONSEMIDescription: ONSEMI - NTMC083NP10M5L - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.0594 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0594ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0594ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.38 грн
50+43.24 грн
100+35.44 грн
500+28.98 грн
1000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC083NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222pF @ 50V, 525pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 12649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+43.32 грн
25+39.04 грн
100+32.22 грн
250+30.11 грн
500+28.84 грн
1000+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC083NP10M5LONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 4.5/-3.6A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83/131mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5/5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: SOIC8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC083NP10M5LonsemiMOSFETs MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
на замовлення 38580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.03 грн
10+39.66 грн
100+30.03 грн
500+28.15 грн
1000+26.68 грн
2500+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC083NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222pF @ 50V, 525pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.67 грн
5000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC1300RMOT01+
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC1300R2onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A, 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC1300R2
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMC1300R2onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A, 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2ON07+ SO-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2onsemiMOSFET 20V 5.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
на замовлення 16455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
802+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 802 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2GonsemiMOSFET 20V 5.2A Complementary
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2SGonsemiMOSFET COMP20V 2A .043R TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2C02R2SGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2N05ZMOT09+ SO-8
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2P01ON07+ SO-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2P01R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2P01R2ON05+
на замовлення 607 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2P01R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2P02MOT95+ SOP
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD2P10MOT95+ SOP
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3N03MOT09+ SO-8
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3N08LON07+ SO-8
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3N08LR2onsemiMOSFET 80V 2.3A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3N08LR2onsemiDescription: MOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 114190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1374+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 1374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3N08LR2GonsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3P03ON07+ SO-8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3P03R2
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3P03R2GonsemiMOSFETs 30V 3.05A P-Channel
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.59 грн
10+53.92 грн
100+34.77 грн
500+31.07 грн
1000+29.19 грн
2500+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD3P03R2GONSOP8 07+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4184PFG
на замовлення 7717 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4184PFR2G
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4184PFR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4184PFR2G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4184PFR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4184PFR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4184PFR2G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.06 грн
18+45.28 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4184PFR2GonsemiMOSFET PFET FTKY S08 30V TR 3.8A
на замовлення 22502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4820Nonsemionsemi NFET SO8 30V 8A 0.020R TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4820NR2GonsemiMOSFET NFET SO8 30V 8A TR 0.020R
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.31 грн
10+57.29 грн
100+38.46 грн
500+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4820NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4820NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
на замовлення 20895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4820NR2G
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4820NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4820NR2G - NFET SO8 30V 8A 0.020R TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4820NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4840Nonsemionsemi NFET SO8 30V 7.5A 0.034R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 262234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1156+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 1156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4840NR2GON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4840NR2GonsemiMOSFET NFET SO8 30V 7.5A 0.034R
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.05 грн
10+47.35 грн
100+31.56 грн
500+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4840NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4840NR2G - MOSFET, DUAL N CH, 30V, 5.5A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 234602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4840NR2GON Semiconductor2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15, Qg, нКл = 9,5 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 6,9 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,68, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4884NFR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
на замовлення 45537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4884NFR2G
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4884NFR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N01MOT09+ SO-8
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03onsemionsemi NFET SO8 30V 4A 60MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03DR2
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2ON07+ SO-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.26 грн
5000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2GonsemiMOSFETs 30V 4A N-Channel
на замовлення 20444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.90 грн
10+44.95 грн
100+26.68 грн
500+21.46 грн
1000+18.95 грн
2500+17.21 грн
5000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
10+50.80 грн
100+33.38 грн
500+24.31 грн
1000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2GON06+ SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5836NLR2GonsemiMOSFET NFET SO8-D 40V 10 25mOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD5838NLR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD5838NLR2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.4 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: NSOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02
Dauer-Drainstrom Id: 7.4
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0162
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2.1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 20085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.72 грн
14+62.35 грн
100+47.80 грн
500+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 15 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]