Продукція > SIJ
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIJK5100E-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJK5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 417 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 417A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIJK5100E-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 417A Mounting: SMD Gate charge: 131nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 417A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1012 On-state resistance: 1.4mΩ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIJK5100E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 417A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11480 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIJK5100E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 74 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11480 @ 50, Qg, нКл = 200 @ 10 В, Rds = 1,4 мОм @ 80 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ мкА, Р, Вт = 17, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerBSFN Очікується: 3 Од. вим: кількість в упаковці: 1500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIJK5100E-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIJK5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 417 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 417A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm | на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIJK5100E-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs PWRPK 100V 417A | на замовлення 9017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIJK5100E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 417A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11480 pF @ 50 V | на замовлення 7384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|