Продукція > VISHAY SILICONIX > SIJK5100E-T1-GE3
SIJK5100E-T1-GE3

SIJK5100E-T1-GE3 Vishay Siliconix

sijk5100e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 417A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11480 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+179.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJK5100E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIJK5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 417 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 417A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 536W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIJK5100E-T1-GE3 за ціною від 199.08 грн до 480.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIJK5100E-T1-GE3 SIJK5100E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijk5100e.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 417A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11480 pF @ 50 V
на замовлення 6999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.19 грн
10+311.03 грн
100+225.33 грн
500+199.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIJK5100E-T1-GE3 SIJK5100E-T1-GE3 Vishay sijk5100e.pdf MOSFETs PWRPK 100V 417A
на замовлення 8538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJK5100E-T1-GE3 SIJK5100E-T1-GE3 VISHAY sijk5100e.pdf Description: VISHAY - SIJK5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 417 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 417A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJK5100E-T1-GE3 SIJK5100E-T1-GE3 VISHAY sijk5100e.pdf Description: VISHAY - SIJK5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 417 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 417A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJK5100E-T1-GE3 sijk5100e.pdf
SIJK5100E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 417A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11480 pF @ 50 V
на замовлення 6999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+480.19 грн
10+311.03 грн
100+225.33 грн
500+199.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIJK5100E-T1-GE3 sijk5100e.pdf
SIJK5100E-T1-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs PWRPK 100V 417A
на замовлення 8538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJK5100E-T1-GE3 sijk5100e.pdf
SIJK5100E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJK5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 417 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 417A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJK5100E-T1-GE3 sijk5100e.pdf
SIJK5100E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJK5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 417 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 417A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.