Продукція > 2SD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1912 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1913 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1913-R-RA | SANYO | 07+ TO-220 | на замовлення 41788 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1913R | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1913R - 2SD1913R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 64702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2466 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1913R | Sanyo | Description: NPN SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 64702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1913R | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220ML | на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1913R | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220ML | на замовлення 60742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1913R-MG5 | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1913S | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220ML Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220ML Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | на замовлення 25145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1913S | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220ML | на замовлення 25145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1913S | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1913S - 2SD1913S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 25145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2004 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1913S-MG5 | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1916 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1918 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1918 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1918-AQ | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 160V 1.5A TO252 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 15 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1918F5 | на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1918TL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1918TL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1918TLQ | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 160V 1.5A CPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1918TLQ | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1918TLQ | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 160V 1.5A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W | на замовлення 3687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1918TLQ | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1918TLQ | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 160V 1.5A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1919 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD192 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1920 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1926 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1927 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1928 | на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1929 | --- | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1929 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1929 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 35448
Додати до обраних
Обраний товар
| Rohm | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92L Напруга колектор-емітер Uceo, В: 60 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В Струм колектора Ic, А: 2 А Коефіцієнт передачі струму h21: 10000 Примітка: Дарлінгтон Монтаж: THT | у наявності: 13 шт
|
| ||||||||||||
| 2SD193 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1930 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1931 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1932 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1933 | ROHM | 2002 TO-220 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1933 Код товару: 79737
Додати до обраних
Обраний товар
| Savantic | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220F Гранична частота fT: 40 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 80 В Струм колектора Ic, А: 4 А Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| 2SD1934 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1935 | SANYO | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SD1935-6 | SANYO | на замовлення 817 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SD1935-6-TB-E | Sanyo | Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1935-6/CT6 | SANYO | 09+ | на замовлення 17018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1935-6\CT6 | SANYO | SOT-323 | на замовлення 17100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1935-7-TB | SANYO | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SD1935-8-TB | SANYO | SOT23 | на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1936 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1936T-AC | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1936T-AC - 2SD1936 - P-CHANNEL SILICON MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 102500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1936T-AC | onsemi | Description: MOSFET P-CH Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 137500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1936T-AC-SY | Sanyo | Description: MOSFET P-CH Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1936T-SSH | onsemi | Description: BIP NPN 0.8A 15V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1936U-AC | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1936U-AC - 2SD1936U-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2466 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1936U-AC | onsemi | Description: BIP NPN 0.8A 15V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1937 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1938 | PANASONIC | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SD1938F-T | PANASONIC | 00+ SOT-23 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1938FSL | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 20V 0.3A MINI3-G1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 4mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: Mini3-G1 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1938FTL | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 20V 0.3A MINI3-G1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 4mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: Mini3-G1 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1939 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD194 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1940E | onsemi | Description: TRANS NPN 85V 6A TO-220ML Supplier Device Package: TO-220ML Frequency - Transition: 15MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 400mA, 4A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Power - Max: 25 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 85 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 3298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1940E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SD1940E - 2SD1940E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 605 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1941 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1941 Код товару: 79738
Додати до обраних
Обраний товар
| Savantic | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-3PFM Напруга колектор-емітер Uceo, В: 600 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 1500 В Струм колектора Ic, А: 6 А Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| 2SD1942 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1944 Код товару: 79769
Додати до обраних
Обраний товар
| Savantic | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220FN Гранична частота fT: 60 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 60 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 80 В Струм колектора Ic, А: 3 А Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| 2SD1944 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1945 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1946 | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1947 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1947A | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT 220NIS2 PLS PLNN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1947A | TOSHIBA | TO-220 01+ | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1948 | на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1949 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1949 T106R | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1949 T106R | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1949/R | ROHM | 09+ | на замовлення 2718 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1949T106 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1949T106Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1949T106Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 0.5A UMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1949T106Q | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1949T106Q | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 0.5A UMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 8814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD1949T106Q | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 0.5A | на замовлення 6471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1949T106R | ROHM | Description: ROHM - 2SD1949T106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 120 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Übergangsfrequenz ft: 250 Bauform - Transistor: SOT-323 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1949T106R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 0.5A UMT3 Part Status: Active Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1949T106R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 0.5A SOT-323 | на замовлення 892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1949T106R | ROHM | Description: ROHM - 2SD1949T106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 120 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200 Übergangsfrequenz ft: 250 Bauform - Transistor: SOT-323 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1949T106R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 0.5A UMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SD195 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1950 | NEC | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SD1950-T1-VM | NEC | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SD1950-T2-AZ | Renesas Electronics America Inc | Description: TRANSISTOR NPN MINI MOLD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SD1951 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1952 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1953 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1955 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1956 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1957 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SD1958 | на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

