Продукція > RF1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RF1H220MRE0511UChinsan (Elite)Description: CAP ALUM 22UF 20% 50V RADIAL TH
Mounting Type: Through Hole
Polarization: Polar
Size / Dimension: 0.197" Dia (5.00mm)
Package / Case: Radial, Can
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Ripple Current @ High Frequency: 195 mA @ 100 kHz
Ripple Current @ Low Frequency: 58.5 mA @ 120 Hz
Impedance: 700 mOhms
Voltage - Rated: 50 V
Capacitance: 22 µF
Height - Seated (Max): 0.492" (12.50mm)
Lifetime @ Temp.: 6000 Hrs @ 105°C
Lead Spacing: 0.079" (2.00mm)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1H221MP51016EChinsan (Elite)Description: CAP ALUM 220UF 20% 50V RADIAL TH
Ripple Current @ High Frequency: 1.37 A @ 100 kHz
Ripple Current @ Low Frequency: 548 mA @ 120 Hz
Impedance: 60 mOhms
Voltage - Rated: 50 V
Capacitance: 220 µF
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.689" (17.50mm)
Lifetime @ Temp.: 10000 Hrs @ 105°C
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Mounting Type: Through Hole
Polarization: Polar
Size / Dimension: 0.394" Dia (10.00mm)
Package / Case: Radial, Can
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+56.16 грн
50+46.64 грн
100+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1H221MP51016EChinsan (Elite)Description: CAP ALUM 220UF 20% 50V RADIAL TH
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.394" Dia (10.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Lifetime @ Temp.: 10000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 0.689" (17.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 220 µF
Voltage - Rated: 50 V
Impedance: 60 mOhms
Ripple Current @ Low Frequency: 548 mA @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 1.37 A @ 100 kHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1H470MP26311ERUChinsan (Elite)Description: CAP ALUM 47UF 20% 50V RADIAL TH
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.248" Dia (6.30mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.098" (2.50mm)
Lifetime @ Temp.: 6000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 0.492" (12.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 47 µF
Voltage - Rated: 50 V
Impedance: 380 mOhms
Ripple Current @ Low Frequency: 135 mA @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 450 mA @ 100 kHz
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.98 грн
39+7.78 грн
55+5.50 грн
100+4.50 грн
500+3.36 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1H470MP26311ERUChinsan (Elite)Description: CAP ALUM 47UF 20% 50V RADIAL TH
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.248" Dia (6.30mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.098" (2.50mm)
Lifetime @ Temp.: 6000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 0.492" (12.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 47 µF
Voltage - Rated: 50 V
Impedance: 380 mOhms
Ripple Current @ Low Frequency: 135 mA @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 450 mA @ 100 kHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K181MP51020Chinsan (Elite)Description: CAP ALUM 180UF 20% 80V RADIAL TH
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.394" Dia (10.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Lifetime @ Temp.: 10000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 0.846" (21.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 180 µF
Voltage - Rated: 80 V
Impedance: 150 mOhms
Ripple Current @ Low Frequency: 416 mA @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 1.04 A @ 100 kHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K181MP51020Chinsan (Elite)Description: CAP ALUM 180UF 20% 80V RADIAL TH
Tolerance: ±20%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.394" Dia (10.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Lifetime @ Temp.: 10000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 0.846" (21.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 180 µF
Voltage - Rated: 80 V
Impedance: 150 mOhms
Ripple Current @ Low Frequency: 416 mA @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 1.04 A @ 100 kHz
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
14+22.29 грн
50+17.75 грн
100+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K221MNN1025EChinsan (Elite)Description: CAP ALUM 220UF 20% 80V RADIAL TH
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial, Can
Size / Dimension: 0.394" Dia (10.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: General Purpose
Lead Spacing: 0.197" (5.00mm)
Lifetime @ Temp.: 10000 Hrs @ 105°C
Height - Seated (Max): 1.043" (26.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 220 µF
Voltage - Rated: 80 V
Impedance: 55 mOhms
Ripple Current @ Low Frequency: 648 mA @ 120 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 1.62 A @ 100 kHz
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+43.38 грн
50+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4090
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49086INTERSIL97+ SOP8P
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49086-L53107+
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49086-L53807+
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4908696
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4908696136
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49088FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49090FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49090-L53807+
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49090-L54807+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4909096HARRISRF1K4909096
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.82 грн
500+77.24 грн
1000+71.23 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4909096ONSEMIDescription: ONSEMI - RF1K4909096 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4909096Harris CorporationDescription: RF1K4909096 - POWER FIELD-EFFECT
Packaging: Bulk
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+46.10 грн
Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4909096HARRISRF1K4909096
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.82 грн
500+77.24 грн
1000+71.23 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4909096
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49090L-L52207+
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49092ON Semiconductor / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49092FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49092Fairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 10V, 775pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 5V, 130mOhm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49092-L44107+
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49092-L52207+
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4909296ON Semiconductor / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49093INTERSIL93+ SOP8P
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49093-96
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4909396HARRISRF1K4909396
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.82 грн
500+77.24 грн
1000+71.23 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4909396Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4909396ON SemiconductorRF1K4909396
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.82 грн
500+77.24 грн
1000+71.23 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4909396
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4909396ONSEMIDescription: ONSEMI - RF1K4909396 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4915496Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 2A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4915496ONSEMIDescription: ONSEMI - RF1K4915496 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49156HARRISSOP8
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49156Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.3A, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49156ONSEMIDescription: ONSEMI - RF1K49156 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
465+63.63 грн
Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49156-L52907+
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4915696Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.3A, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+59.19 грн
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4915696ONSEMIDescription: ONSEMI - RF1K4915696 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
439+67.33 грн
Мінімальне замовлення: 439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49157ONSEMIDescription: ONSEMI - RF1K49157 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+41.48 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49157INTERSIL93+ SOP8P
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49157Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49157-L52307+
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49157-L53007+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49157-L53707+
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4915796Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4915796ONSEMIDescription: ONSEMI - RF1K4915796 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
439+67.33 грн
Мінімальне замовлення: 439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4915796
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4917
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49211Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
825+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 825 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49211FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4921196RFMDSOP8
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49221INTERSIL93+ SOP8P
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49223Harris CorporationDescription: DUAL P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+61.35 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49223FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4922396FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49224INTERSIL93+ SOP8P
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K76121SK8
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K7650S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1MP
на замовлення 933 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1R
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S0CA2K70JOhmiteThick Film Resistors - SMD 2.7K Ohm 5% 1W SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S15N06Harris CorporationDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S15N06SMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S15N08LHarris CorporationDescription: LOGIC LEVEL GATE (5V) DEVICE
Supplier Device Package: TO-263AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S17N06LHARRISRF1S17N06L
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.88 грн
500+89.90 грн
1000+82.90 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S17N06LHarris CorporationDescription: DISCRETE ,LOGIC LEVEL GATE (5V),
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+50.19 грн
Мінімальне замовлення: 451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S17N06LSMHarris CorporationDescription: LOGIC LEVEL GATE (5V) DEVICE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+64.69 грн
Мінімальне замовлення: 342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10SMHARRISRF1S22N10SM
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+109.23 грн
500+98.31 грн
1000+90.66 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10SM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10SMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 3853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+58.07 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10SMonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10SMHARRISRF1S22N10SM
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+109.23 грн
500+98.31 грн
1000+90.66 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10SM9Aonsemi / FairchildMOSFET 100V Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LE
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LEHarris CorporationDescription: 23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+68.18 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LESMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 5549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+61.62 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LESM9AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+66.21 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LESM9AHARRISRF1S23N06LESM9A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+95.19 грн
500+85.66 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06Harris CorporationDescription: 25A, 60V, 0.047 OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+63.87 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SM9AHARRISRF1S25N06SM9A
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+95.19 грн
500+85.66 грн
1000+79.00 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SM9AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+67.20 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SM9AHARRISRF1S25N06SM9A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+95.19 грн
500+85.66 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SMR4643HARRISRF1S25N06SMR4643
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.49 грн
500+81.45 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SMR4643Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 25A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+63.87 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SMR4643
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SMR4643HARRISRF1S25N06SMR4643
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.49 грн
500+81.45 грн
1000+75.12 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LEHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 30A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+77.53 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33  [ Наступна Сторінка >> ]