Продукція > RF1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 26 27 28 29 30 31 32 33  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RF1S30N06LESMonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LESM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LESM9Aonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LESM9A
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LESM9AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LESMR4365
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P05Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 50V 30A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+71.39 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P05
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P05HARRISRF1S30P05
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.67 грн
500+109.56 грн
1000+101.03 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P05SM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06Harris CorporationDescription: 30A, 60V, 0.065OHM, P-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06SM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06SMHarris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06SMHARRISRF1S30P06SM
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+227.98 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06SM9AHarris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10LEHARRISRF1S40N10LE
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10LE
на замовлення 4322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10LEHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 40A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+107.61 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10LEHARRISRF1S40N10LE
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10LESM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10SM
Код товару: 129177
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10SMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+108.94 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10SMFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10SMON Semiconductor / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10SM9AON Semiconductor / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S41N03LSM
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S42N03
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S42N03L
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S42N03LHARRISRF1S42N03L
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S42N03LHarris CorporationDescription: 42A, 30V, 0.025 OHMS, N-CHANNEL
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+59.93 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S42N03LSM
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S42N03LSM9A
на замовлення 803 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LHarris CorporationDescription: 45A, 20V, 0.022OHM, N-CHANNEL LO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+55.47 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LHARRISRF1S45N02L
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+78.02 грн
505+70.21 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSM
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+49.46 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSM9AHARRISRF1S45N02LSM9A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.77 грн
549+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSM9AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSM9AHARRISRF1S45N02LSM9A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.77 грн
549+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSM9AHARRISRF1S45N02LSM9A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.77 грн
549+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03LHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+66.91 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03LHARRISRF1S45N03L
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+125.21 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03L
на замовлення 24960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03LHARRISRF1S45N03L
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+125.21 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03LS
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03LSM
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03LSM9AHARRIS98+ ZIP
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03LSNM9A
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06LEHARRISRF1S45N06LE
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.66 грн
500+120.49 грн
1000+111.38 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06LEHarris CorporationDescription: 45A, 60V, 0.028OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 45A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06LESMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06LESM9AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+67.88 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06SMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+65.73 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S4N100SM9AHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+252.59 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06Harris CorporationDescription: 50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+101.80 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06LEHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+105.12 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06LESMHARRISRF1S50N06LESM
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.84 грн
500+121.67 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06LESMHARRISRF1S50N06LESM
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+135.84 грн
500+121.67 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06LESMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 5V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+95.81 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06SMFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06SM9A
на замовлення 711 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06SM9AON SemiconductorRF1S50N06SM9A
на замовлення 6056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+131.12 грн
500+118.01 грн
1000+108.83 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06SM9AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
на замовлення 7154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+92.48 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06SM9AONSEMIDescription: ONSEMI - RF1S50N06SM9A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
382+77.48 грн
Мінімальне замовлення: 382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06SM9AON SemiconductorRF1S50N06SM9A
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+131.12 грн
500+118.01 грн
1000+108.83 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S50N06SM9AS2551Harris CorporationDescription: MOSFET 60V 50A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+99.80 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S530SM9AONSEMIDescription: ONSEMI - RF1S530SM9A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+78.37 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S530SM9AON SemiconductorRF1S530SM9A
на замовлення 11640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.30 грн
500+119.31 грн
1000+109.81 грн
10000+94.41 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S530SM9AHarris CorporationDescription: 14A, 100V, 0.16OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S530SM9AS2457HARRISRF1S530SM9AS2457
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.30 грн
500+119.31 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S540Harris CorporationDescription: 28A, 100V, 0.077 OHM, N-CHANNEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 4101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+93.97 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S540SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S630HarrisСНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+309.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S630SMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+101.87 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S630SM9AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+105.86 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S630SM9AHARRISRF1S630SM9A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+150.02 грн
500+134.66 грн
1000+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S640Harris CorporationDescription: 18A, 200V, 0.180 OHM, N-CHANNEL
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+106.99 грн
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S640
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S640SMHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO263AB
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+196.16 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S640SM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S640SM9A
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N03Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 70A TO262AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+120.79 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N03
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N03SM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N03SM9A
на замовлення 2069 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N06
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N06Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 70A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N06SM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N06SMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+246.88 грн
500+233.89 грн
1000+220.89 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N06SMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 6785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+180.28 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N06SMIntersilN-CH 70 A 60 V 0,014 Om TO-263AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N06SMONSEMIDescription: ONSEMI - RF1S70N06SM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+198.93 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N06SM9A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N06SM9AONSEMIDescription: ONSEMI - RF1S70N06SM9A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+201.35 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N06SM9AON SemiconductorRF1S70N06SM9A
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+250.42 грн
500+237.43 грн
1000+224.44 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S70N06SM9AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+182.90 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9530HARRISRF1S9530
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+190.18 грн
500+179.55 грн
1000+170.10 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S9530HARRISRF1S9530
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+190.18 грн
500+179.55 грн
1000+170.10 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 26 27 28 29 30 31 32 33  [ Наступна Сторінка >> ]