Продукція > 2N5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5793A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5793AU | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5793AU/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5793U | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5793U/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 600mW 6-Pin TO-78 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS 2NPN 600MA 40V TO78-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794 | Central Semiconductor | Central Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5794 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794 | Microchip Technology / Atmel | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794A | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794AU | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794AU | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794AU/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794AU/TR | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794U | Optek / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT Dual NPN Transistor 6 Pin | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794U | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 600mW 6-Pin Case U Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794U | TT Electronics/Optek Technology | Description: TRANS 2NPN 40V 600MA 6-CLCC Supplier Device Package: 6-CLCC DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Power - Max: 600mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-CLCC Packaging: Bulk | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| 2N5794U | Optek Technology (TT electronics) | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 600mW 6-Pin CSMD Waffle | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794U/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794U/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794UC | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794UC | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794UC/TR | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5794UC/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5795 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5795 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5795 | Microchip Technology | Description: TRANS 2PNP 60V 0.6A TO-78 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5795/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5795A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5795AU/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5796 | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5796 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5796/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5796A | Microchip Technology / Atmel | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5796AU | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5796AU/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5796U | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 6-Pin Case U Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5796U | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5796U | Optek Technology (TT electronics) | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 600mW 6-Pin CSMD Waffle | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5796U | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5796U/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N579A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N580 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5801 | MOT | CAN | на замовлення 391 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5802 | MOT | CAN | на замовлення 619 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5803 | MOT | CAN | на замовлення 371 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5804 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5804 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 225V 5A TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 225 V Power - Max: 62 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5805 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5805 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 300V 5A TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 62 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N580A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N581 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5815 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Current | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5815 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TH TRANSISTOR-SMALL SIGNAL (<=1A Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5815 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transis tor-Small Signal (< | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5815 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: TH TRANSISTOR-SMALL SIGNAL (<=1A Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5817 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5817 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5817 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5817 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5817 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5817 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5817 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50Vcbo 50Vces 40Vceo 5.0A 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5817 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5817 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5817 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5817 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5817 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5818 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5818 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 750mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 135MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5818 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5818 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5818 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 750mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 135MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5818 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 750mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 135MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5818 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5818 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 50Vces 40Vceo 5.0Vebo 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5818 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 750mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 135MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5818 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 750mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 135MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5818 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5818 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 40V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5818 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 40V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 750mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 135MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5819 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Med Power | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N581A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N582 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5822 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5822 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5822 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5822 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5822 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 70V 0.75A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5822 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 70Vcbo 70Vces 60Vceo 5.0V 750mA 625wW | на замовлення 1263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5822 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.75A 625mW 3-Pin TO-92-18R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5822 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5822 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 70Vcbo 70Vces 60Vceo 5.0V 750mA 625wW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5822 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5822 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5822 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5822 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |