Продукція > NTM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMYS5D3N04CTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTMYS5D3N04CTWG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 19A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTMYS5D3N04CTWG | onsemi | MOSFETs 40V 5.3 mOhm 71A Single N-Channel | на замовлення 3031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTMYS6D2N06CLTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 4LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTMYS6D2N06CLTWG | onsemi | MOSFETs T6 60V LL LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTMYS6D2N06CLTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 4LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc) Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTMYS7D3N04CLTWG | onsemi | MOSFETs 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel | на замовлення 4007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTMYS7D3N04CLTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMYS7D3N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 7300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 38W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTMYS7D3N04CLTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V | на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTMYS7D3N04CLTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMYS7D3N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52 A, 7300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 38W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 38W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTMYS7D3N04CLTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTMYS8D0N04CTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTMYS8D0N04CTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V | на замовлення 8712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTMYS8D0N04CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 38W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTMYS8D0N04CTWG | onsemi | MOSFETs 40V 49A 8.1Ohm Single N-Channel | на замовлення 3020 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTMYS8D0N04CTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| NTMYS8D0N04CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 38W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 38W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTMYS9D3N06CLTWG | onsemi | MOSFET T6 60V LL LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |