Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK9528-100A,127 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 49A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4293 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9528-100A,127 | NXP Semiconductors | MOSFET RAIL PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9528-55 | PH | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9528-55A | NXP Semiconductors | MOSFET RAIL PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9528-55A,127 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 40A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9528-55A,127 | NXP Semiconductors | MOSFET RAIL PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9528100A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK952855 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK952855A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK9529-100B | Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9529-100B,127 | Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9529-100B,127 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 46A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9529-100B/C127 | NXP | Description: NXP - BUK9529-100B/C127 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 32748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK9529-100B/C127 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 32748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK9529100B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK952R3-40E,127 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 293W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13160 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK952R8-30B,127 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10185 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK952R8-60E,127 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 349W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK952R8-60E,127 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 349W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17450 pF @ 25 V | на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK952R8-60E,127 | NXP | Description: NXP - BUK952R8-60E,127 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK952R830B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK9535-100A | на замовлення 515 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK9535-100A | Nexperia | MOSFET RAIL PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9535-100A,127 | Nexperia | MOSFET RAIL PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9535-100A,127 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 41A TO220AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 149W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 25A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3573 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9535-100A,127 | NXP | Description: NXP - BUK9535-100A,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK9535-100A,127 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 100V 41A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 3380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK9535-55 | PH | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9535-55,127 | NXP Semiconductors | MOSFET BUK9535-55/SOT78/RAILH// | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9535-55,127 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9535-55/B | NXP | TO220,LL-FET,55V,34A,0.035Ohm,TrenchMOS Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9535-55A | NXP | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BUK9535-55A | Nexperia | MOSFETs RAIL PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9535-55A,127 | Nexperia | MOSFETs RAIL PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9535-55A,127 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9535-55A127 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9535100A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK953555 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK953555A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK953R2-40B | Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK953R2-40B,127 | NXP | Description: NXP - BUK953R2-40B,127 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK953R2-40B,127 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 40V 222A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK953R2-40B,127 | Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK953R2-40B,127 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB Packaging: Tube | на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK953R2-40B,127 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10502 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK953R2-40E,127 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK953R240B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK953R5-60E,127 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 293W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13490 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK953R5-60E,127 | NXP | Description: NXP - BUK953R5-60E,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK953R5-60E,127 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK9540 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK9540-100A,127 | Nexperia | BUK9540-100A,127 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK9540-100A,127 | Nexperia USA Inc. | Description: NEXPERIA BUK9540 - N-CHANNEL MOS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3072 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK9540-100A,127 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9540-100A,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK9540-100A,127 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK9540-100A,127 | NXP | Description: NXP - BUK9540-100A,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK9540100 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK9540100A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK954R2-55B,127 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10220 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK954R255B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK954R4-40B,127 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7124 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK954R4-40B,127 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 40V 174A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK954R4-40B,127 | Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK954R4-40B127 | NXP | Description: NXP - BUK954R4-40B127 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK954R4-40B127 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7124 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK954R4-80E,127 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 349W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17130 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK954R4-80E,127 | NXP | Description: NXP - BUK954R4-80E,127 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK954R440B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK954R8-60E | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK954R8-60E | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK954R8-60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 100 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 234 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 Verlustleistung: 234 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004 Rds(on)-Prüfspannung: 5 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK954R8-60E,127 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK954R8-60E,127 | Nexperia | MOSFET BUK954R8-60E/SOT78/SIL3P | на замовлення 727 шт: термін постачання 623-632 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK954R8-60E,127 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK954R8-60E,127 - MOSFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK954R8-60E,127 Код товару: 158439
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BUK954R8-60E,127 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9556-30 | PH | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9560-100A | NXP Semiconductors | MOSFET RAIL PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9560-100A,127 | NXP Semiconductors | MOSFET RAIL PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9560100A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK956R1-100E,127 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17.46 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 349W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK9575-100A | NXP | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BUK9575-100A | Nexperia | MOSFET RAIL PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9575-100A,127 | Nexperia | MOSFET RAIL PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9575-100A,127 Код товару: 168171
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BUK9575-100A,127 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1704 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9575-100A/C1Q | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9575-55 | PH | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9575-55A | Nexperia | MOSFET RAIL PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9575-55A,127 | Nexperia | MOSFET RAIL PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9575-55A,127 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 20A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9575100A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK957555 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK957555A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK958R5-40E,127 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK95R240B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK9604-40A | на замовлення 483 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK9604-40A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 198A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK9604-40A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8260 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK9604-40A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK9604-40A,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9604-40A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.004 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 75 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: SOT-404 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. |

