Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTY8N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2IXYSMOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Case: TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 150W
Technology: X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: SMD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+167.99 грн
10+120.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N70X2IXYSMOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY90N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.85 грн
70+96.30 грн
140+87.23 грн
560+68.67 грн
1050+64.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY90N055T2IXYSMOSFETs TO252 N-CH 55V 90A
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY90N055T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 55V; 90A; 150W; DPAK,TO252AA; 37ns
On-state resistance: 8.4mΩ
Reverse recovery time: 37ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 42nC
Polarisation: N
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK; TO252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY90N055T2-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 90A; 150W; DPAK,TO252AA; 37ns
Reverse recovery time: 37ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 42nC
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK; TO252AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY90N055T2-TRLLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY90N055T2-TRLIXYSMOSFETs IXTY90N055T2 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTZ550N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 550A DE475
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DE475
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTZ550N055T2IXYSMOSFET 550Amps 55V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.