Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 48 54 60 64  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IS43LR32800H-6BLISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR32800H-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: LVCMOS
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 32
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR32800H-6BL-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR32800H-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: LVCMOS
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 32
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR32800H-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: LVCMOS
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 32
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR32800H-6BLIISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR32800H-6BLI-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR32800H-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: LVCMOS
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 8M x 32
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16256A-083RBLIISSIDRAM 1.2V 2400 MT/s 4Gb 256Mx16 DDR4 SDRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16256B-075UBLISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16256B-075UBL-TRISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16256B-075UBLIISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16256B-075UBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16256B-083RBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96BGA
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 96-BGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256M x 16
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 96-BGA
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.2 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+712.49 грн
10+637.64 грн
25+618.02 грн
50+566.07 грн
198+538.75 грн
396+525.23 грн
594+508.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16256B-083RBLISSIDRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.2V 96-Pin FBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16256B-083RBLISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16256B-083RBL-TRISSIDRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.2V 96-Pin FBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16256B-083RBL-TRISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16256B-083RBLIISSIDRAM 4GBIT PARALLEL BGA-96 (-40..+95°C) Мікросхеми пам'яті
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16256B-083RBLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43QR16256B-083RBLI - DRAM, DDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 1.2 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.2GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+889.25 грн
10+825.04 грн
25+816.91 грн
50+754.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16256B-083RBLIISSIDRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.2V 96-Pin TW-BGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16256B-083RBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.2 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-BGA
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+780.68 грн
10+698.02 грн
25+676.47 грн
50+619.57 грн
198+589.60 грн
396+574.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16256B-083RBLIISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s a. 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16256B-083RBLI-TRISSIDRAM Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.2V 96-Pin TW-BGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16256B-083RBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16512A-075VBLISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16512A-075VBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/
Packaging: Bulk
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.333 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 512M x 16
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16512A-075VBL-TRISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16512A-075VBLIISSIDRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.2V 96-Pin TWBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16512A-075VBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/
Packaging: Bulk
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.333 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 512M x 16
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16512A-075VBLIISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16512A-075VBLI-TRISSIDRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.2V 96-Pin TWBGA T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16512A-075VBLI-TRISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16512A-083TBLISSIDRAM 8G, 12V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s a. 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16512A-083TBLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 512Mx16bit; 14.16ns; TWBGA96; 0÷95°C
Memory: 8Gb DRAM
Supply voltage: 1.2V DC
Kind of memory: DDR4; SDRAM
Kind of package: in-tray; tube
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: TWBGA96
Memory organisation: 512Mx16bit
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...95°C
Access time: 14.16ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16512A-083TBL-TRISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s a. 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16512A-083TBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.2 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 512M x 16
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16512A-083TBLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43QR16512A-083TBLI - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.2 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.2GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1529.77 грн
10+1424.92 грн
25+1409.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16512A-083TBLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 512Mx16bit; 14.16ns; TWBGA96; -40÷95°C
Memory: 8Gb DRAM
Supply voltage: 1.2V DC
Kind of memory: DDR4; SDRAM
Kind of package: in-tray; tube
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: TWBGA96
Memory organisation: 512Mx16bit
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...95°C
Access time: 14.16ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16512A-083TBLIISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16512A-083TBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.2 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 512M x 16
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR16512A-083TBLI-TRISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s a. 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR81024A-075VBLISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s @ 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR81024A-075VBL-TRISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s @ 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR81024A-075VBLIISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s @ 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR81024A-075VBLI-TRISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s @ 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR81024A-083TBLISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s a. 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR81024A-083TBL-TRISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s a. 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR81024A-083TBLIISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s a. 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR81024A-083TBLI-TRISSIDRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s a. 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR85120B-083RBLISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR85120B-083RBL-TRISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s a. 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR85120B-083RBLIISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s @ 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR85120B-083RBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s a. 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR8K02S2A-083TBLISSIDRAM 16G, 1.2V, DDR4, 2Mx8, Dual Rank, 2400MT/s a. 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR8K02S2A-083TBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 16GBIT PAR 78LWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 78-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 90°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Technology: SDRAM - DDR4
Clock Frequency: 1.2 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 78-LWBGA (10x14)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 18 ns
Memory Organization: 2G x 8
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5601.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR8K02S2A-083TBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 16GBIT PAR 78LWBGA
Memory Organization: 2G x 8
Access Time: 18 ns
Memory Interface: Parallel
Package / Case: 78-LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 78-LWBGA (10x14)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.2 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: 0°C ~ 90°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 16Gbit
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR8K02S2A-083TBL-TRISSIDRAM 16G, 1.2V, DDR4, 2Mx8, Dual Rank, 2400MT/s a. 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR8K02S2A-083TBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 16GBIT PAR 78LWBGA
Memory Organization: 2G x 8
Access Time: 18 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 78-LWBGA (10x14)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.2 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 16Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-LFBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR8K02S2A-083TBLIISSIDRAM 16G, 1.2V, DDR4, 2Mx8, Dual Rank, 2400MT/s a. 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR8K02S2A-083TBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 16GBIT PAR 78LWBGA
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 16Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-LFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Memory Organization: 2G x 8
Access Time: 18 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 78-LWBGA (10x14)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.2 GHz
Technology: SDRAM - DDR4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43QR8K02S2A-083TBLI-TRISSIDRAM 16G, 1.2V, DDR4, 2Mx8, Dual Rank, 2400MT/s a. 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160B-5TL
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160B-5TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160B-5TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160B-5TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160B-6TLINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43R16160B-6TL - DRAM, DDR, 256 Mbit, 4 BLK (4M x 16), 166 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
hazardous: false
DRAM-Dichte: 256
MSL: MSL 5 - 48 Stunden
Zugriffszeit: 700
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 2.5
Betriebstemperatur, min.: 0
Taktfrequenz: 166
euEccn: NLR
Seitengröße: 256
Anzahl der Pins: 66
Produktpalette: IS43R
Betriebstemperatur, max.: 70
Speicherkonfiguration DRAM: 4 BLK (4M x 16)
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160B-6TLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160B-6TL
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160B-6TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160B-6TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160B-6TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5BLISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5BLISSIDRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5BL-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5BL-TRISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5BLIISSIDRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5BLI-TRISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5BLI-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5TLISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5TLISSIDRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5TLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5TL-TRISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5TL-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5TLIISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5TLIISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5TLI-TRISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-5TLI-TRISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-6BIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-6BI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-6BLISSIDRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R16160D-6BLISSIDRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 48 54 60 64  Наступна Сторінка >> ]