Продукція > PBS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PBSS5540X,135 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5540X,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 550 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 550mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540X,135 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 4A; SC62,SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 4A Case: SC62; SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 60MHz Current gain: 50...250 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540X,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 40V 4A 2500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540X,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 40V 4A SOT-89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540X,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 40V 4A 2500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5540X,135 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5540X/SOT89/MPT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540X,135 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5540X,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 550 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 550mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540X,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 40V 4A SOT-89 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540X,135 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 40V 4A 2500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5540X,135 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 40V 4A SOT89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540X-QF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 40 V, 5 A PNP low VCEsat transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540X-QF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 40V 4A SOT-89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540X-QF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 40V 4A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 550 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540X.135 | Nexperia | SOT-89 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540X.135 Код товару: 60892
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| PBSS5540Z Код товару: 25578
Додати до обраних
Обраний товар
| NXP | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-223 Гранична частота fT, МГц: 100 МГц Напруга Uке, В: 40 В Напруга Uкб, В: 40 В Струм Iк, А: 5 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 300 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z T/R | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z,115 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 40, Ic = 5 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 120, hFE = 150 @ 2 A, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,16 @ 200 мA, 2A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 128 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5540Z,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5540Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 1.35 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 40V 5A SOT-223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z,115 | NXP | Транзистор: PNP; біполярний; 40В; 5А; SC73,SOT223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 40V 5A SOT-223 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z,115 Код товару: 221534
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| PBSS5540Z,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 5A; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 5A Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz Current gain: 50...350 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5540Z/SOT223/SC-73 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5540Z,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 1.35 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.35W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 40V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z-QF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 40V 5A PNP BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z-QF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 40V 5A SOT-223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z-QF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 40V 5A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.35 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 40V 5A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.35 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 40V 5A PNP BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z/8X | Renesas | Description: PBSS55V LVCESPTRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z/ZLF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 40V 5A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 160mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z/ZLX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 40V 5A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 160mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540Z115 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA PBSS5540Z - POWER B Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540ZF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 40V 5A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 160mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540ZF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5540Z/SOT223/SC-73 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540ZF | Nexperia | Trans GP BJT PNP 40V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540ZF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 40V 5A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 160mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5540ZSOT223 | на замовлення 76000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5560PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-1061 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5560PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5560PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5560PA/SOT1061/HUSON3 | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5560PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5560PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 5A 3HUSON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5560PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5560PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5560PA,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5A; DFN2020-3,SOT1061 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 5A Case: DFN2020-3; SOT1061 Current gain: 90...265 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 90MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5560PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5560PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-1061, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 265hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-1061 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5560PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5560PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5560PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5560PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 5A 3HUSON | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5560PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 5A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5580PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 4A 3HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5580PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5580PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HUSON Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5580PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 4A 3HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5580PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5580PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5580PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HUSON Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5580PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5580PA/SOT1061/HUSON3 | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5580PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5580PA,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; DFN2020-3,SOT1061 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Case: DFN2020-3; SOT1061 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 110MHz Current gain: 70...265 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5612PA,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR PNP 12V 6A SOT1061 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5612PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 12V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5612PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 12V 6A PNP LO VCEsat TRANSISTOR | на замовлення 2729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5612PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 12V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5612PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 12V 6A 3HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 2.1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5612PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 12V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5612PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 12V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5620PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | на замовлення 348000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5620PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | на замовлення 348000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5620PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 20V 6A 3HUSON | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5620PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 6A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5620PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5620PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 20V 6A 3HUSON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5620PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5620PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5620PA/SOT1061/HUSON3 | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5620PA,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR PNP 20V 6A SOT1061 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5630PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5630PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5630PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5630PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5630PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 6A 2100mW 3-Pin DFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5630PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT1061 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5630PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 6A 3HUSON | на замовлення 1582393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5630PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R | на замовлення 1575265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5630PA,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5630PA,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 6 A, 500 mW, HUSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: HUSON Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS5630PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R | на замовлення 3429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS5640 | PHILIPS | SOT-163 05+ | на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS8110AS | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS8110AS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 830 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS8110D,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS8110D/SOT457/SC-74 | на замовлення 3195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS8110D,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS8110D,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PBSS8110D,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A 6-TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 700 mW Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 20068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS8110D,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| PBSS8110D,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 100V 1A 700mW 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

