Продукція > FF4

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

FF4MR20KM1HHPSA1

Description: INFINEON - FF4MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 280 A, 2 kV, 5300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FF4MR20KM1HHPSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36100pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 300A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1170nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA
Supplier Device Package: AG-62MMHB

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	27986.10 грн
10+	25855.75 грн

В кошику од. на суму грн.

FF4MR20KM1HHPSA1

Infineon Technologies

Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FF4MR20KM1HPHPSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36100pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 300A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1170nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA
Supplier Device Package: AG-62MMHB

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	28513.61 грн

В кошику од. на суму грн.

FF4MR20KM1HPHPSA1

Infineon Technologies

MOSFET Modules 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FF4MR20KM1HPHPSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Module: MOSFET transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

FF4MR20KM1HPHPSA1

INFINEON

Description: INFINEON - FF4MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 245 A, 2 kV, 5300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FF4U03LD