Продукція > IMZ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMZC120R034M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+749.83 грн
10+441.40 грн
100+360.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 18A, 18V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+788.28 грн
30+453.16 грн
120+386.11 грн
510+316.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R053M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+703.92 грн
10+408.85 грн
100+300.99 грн
480+300.30 грн
1200+295.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R053M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 38A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 13A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+625.97 грн
30+355.14 грн
120+300.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R078M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+598.41 грн
10+359.63 грн
100+263.71 грн
480+263.02 грн
1200+249.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R011M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZC140R011M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 69.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 21.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R019M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZC140R019M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 1000 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1199.12 грн
30+714.34 грн
120+617.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R019M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1391.73 грн
10+885.19 грн
100+648.92 грн
480+619.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R024M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1231.45 грн
10+924.09 грн
100+669.63 грн
480+596.45 грн
1200+557.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R024M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZC140R024M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 1000 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1037.58 грн
30+610.09 грн
120+524.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R029M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1026.88 грн
10+673.22 грн
100+479.79 грн
480+448.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R038M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZC140R038M2HXKSA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.4 kV
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20.4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+740.91 грн
30+426.36 грн
120+363.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R038M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+857.75 грн
10+506.50 грн
480+378.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC9851BTSOP
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4