Продукція > MUN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MUN2212T1SOT23-8B | ON | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN2212T3 | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2212XLT1 | на замовлення 2940 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2213 | onsemi | SS SC59 BR XSTR PNP 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2213 | ON | 07+ SOT-23 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2213/8C | ON | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2213JT1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 33000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2213JT1 | на замовлення 114000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2213JT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2213JT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2213JT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN2213JT1G - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2213LT1 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2213LT1G | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2213T1 | onsemi | Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 545350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2213T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 173950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2213T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN2213T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 545350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2213T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2213T1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2213T1 | On Semiconductor | NPN R1=R2=47K, SC-59 (аналог DTC144EKAT146) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2213T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 258000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2213T1/8C | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2213T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 388540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2213T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2213T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2213T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2213T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2213T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 1771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2213T1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 47kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.23W Case: SC59 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | на замовлення 466 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2213T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2213T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 1771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 277 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2213T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2213T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2213T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 38952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2213T1G | On Semiconductor | NPN R1=R2=47K, SC-59 (аналог DTC144EKAT146) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2213T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2213T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 38952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214 | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2214LT1 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2214T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN2214T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2214T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1 | onsemi | Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 338 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1 | onsemi | Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59 Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 338 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2214T1F | ON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 47150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.23W Case: SC59 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | на замовлення 33779 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 86000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 97118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 97118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN2214T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | onsemi | Digital Transistors 50 V Dual NPN BiPolar DRT | на замовлення 7234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 230 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T3 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2214T3G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2214T3G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2214T3G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 14300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2214T3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.23W Case: SC59 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2214T3G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2215LT1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2215LT1G | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2215T1 | Rochester Electronics, LLC | Description: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 | на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8334 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2215T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2215T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 252000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2215T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN2215T1 - MUN2215T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2215T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V | на замовлення 28715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2215T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2215T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2215T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2215T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2215T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN2215T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 338mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2215T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2215T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 338 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2215T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2215T1G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V | на замовлення 6303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2215T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 52320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2215T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2215T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2215T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2215T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 338 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MUN2215T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2215ZT1 | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2215ZT1(ON) | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2215ZT1. | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2216 | onsemi | onsemi SS SC59 BR XSTR NPN 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MUN2216 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2216-(TX) | на замовлення 19000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MUN2216LT1G | ON | 10+ SOT-23 | на замовлення 255000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

