Продукція > RJK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJK0366DSP00J0 | RENESAS | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| RJK0368DPA | RENESAS | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| RJK0368DPA-00#J0 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8WPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: 8-WPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Bulk | на замовлення 61026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0368DPA-WS#J0 | Rochester Electronics, LLC | Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET | на замовлення 2085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1137 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0368DPA00J0 | RENESAS | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| RJK0369DSP-00#J0 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0369DSP-00#J0 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0369DSP-00#J0 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0371DSP-00#J0 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0371DSP-00#J0 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0371DSP-00#J0 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0374DSP-01#J0 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK0374DSP-01#J0 | Renesas Electronics America Inc | Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET | на замовлення 265000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 306 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0375DSP-01#J0 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK0379DPA-00#J53 | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0379DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: 8-WPAK Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Packaging: Bulk | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0379DPA-WS#J53 | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0380DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0380DPA-02#J0 | Renesas Electronics America Inc | Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0380DPA-02-J0 | на замовлення 2003 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK0380DPA-HF-HS | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK0381DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: 8-WPAK Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Packaging: Bulk | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0383DPA | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK0383DPA-09#J53 | Renesas Electronics America Inc | Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0384DPA | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK0384DPA-00#J53 | Renesas Electronics America Inc | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0389DPA | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK0389DPA-00#J53 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET 2N-CH 30V 15A/20A WPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0389DPA-00#J53 | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0389DPA-02 | на замовлення 1632 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK0389DPA-WS#J53 | Renesas Electronics America Inc | Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET | на замовлення 2191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 124 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0390DPA | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK0390DPA-00#J53 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: 8-WPAK Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Bulk | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0390DPA-00#J5A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: 8-WPAK Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Packaging: Bulk | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0390DPA-02#J5A | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 339000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0390DPA-WS#J53 | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 5858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0391DPA | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK0391DPA-00#J53 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 50A W-PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0391DPA-00#J53 | SOP8 | на замовлення 2767 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| RJK0391DPA-00#J53 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 50A W-PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0391DPA-00#J53 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 50A W-PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0391DPA-00#J5A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-WPAK (3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Power Dissipation (Max): 50W (Tc) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0391DPA-00#J5A | Renesas Electronics | MOSFETs Nch Power MOSFET 30V 50A 2.9mohm SON-8 5x6 | на замовлення 4944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0391DPA-00#J5A | RENESAS | Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: WPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0391DPA-00#J5A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-WPAK (3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0391DPA-00#J5A | RENESAS | Description: RENESAS - RJK0391DPA-00#J5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 2900 µohm, WPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: WPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0391DPA-00-J53 | RENESAS | DIP8 | на замовлення 2695 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0391DPA-WS#J53 | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 3940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0391DPA-WS#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH WPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0392DPA | RENESAS | QFN | на замовлення 294 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0392DPA-00#J53 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 45A W-PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0392DPA-00#J53 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 45A W-PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0392DPA-00#J53 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 45A W-PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0392DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 45A 2WPACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0392DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 45A 2WPACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0392DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 45A 2WPACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0392DPA-00-J53 | RENESAS | QFN8 | на замовлення 1350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0392DPA-WS#J53 | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0393DPA-00#J53 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: 8-WPAK Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Bulk | на замовлення 38400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0393DPA-00#J5A | Renesas Electronics | MOSFET BEAM Series FET, 30V, WPAK, Pb Free, HF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0393DPA-00#J5A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0393DPA-00#J5A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0393DPA-0G#J7A | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0393DPA-HF-HS | на замовлення 3548 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK0393DPA-WS#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0394DPA-00#J53 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 35A W-PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0394DPA-00#J53 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 35A W-PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0394DPA-00#J53 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 35A W-PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0394DPA-00#J5A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: 8-WPAK Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Bulk | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0394DPA-02#J53 | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0394DPA-WS#J53 | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0395DPA | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK0395DPA-00#J53 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: 8-WPAK Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Bulk | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0395DPA-00#J5A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: 8-WPAK Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Packaging: Bulk | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0395DPA-WS#J53 | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0396DPA-00#J53 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: 8-WPAK Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Bulk | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0396DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0397DPA-00#J53 | Renesas | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WPAK EP T/R | на замовлення 188485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0397DPA-00#J53 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V | на замовлення 188485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0397DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 30A WPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK0397DPA-02#J53 | Renesas | RJK0397DPA-02#J53 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0397DPA-02#J53 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK0397DPA-02#J53 | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0397DPA-0G#J7A | Renesas | RJK0397DPA-0G#J7A | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0397DPA-0G#J7A | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 4993700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK0397DPA-0G#J7A | Renesas | RJK0397DPA-0G#J7A | на замовлення 4975700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK03A4DPA-00#J53 | Renesas Electronics America Inc | Description: POWER TRANSISTOR, MOSFET | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 451 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK03A4DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 42A WPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK03B7DPA | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03B7DPA-00#J53 | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK03B7DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V | на замовлення 197615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK03B7DPA-WS#J53 | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK03B8DPA | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK03B8DPA-00#J53 | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V | на замовлення 114786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK03B8DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 2WPACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK03B8DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 2WPACK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK03B8DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 30V 30A 2WPACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK03B8DPA-WS#J53 | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK03B9DNS-00#J5 | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 175000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK03B9DPA | на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

