Продукція > STF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STF13N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.66 грн
10+124.77 грн
50+95.31 грн
100+80.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.76 грн
10+107.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60M2STTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.95 грн
10+121.67 грн
50+92.79 грн
100+78.35 грн
500+63.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.67 грн
10+78.83 грн
25+66.25 грн
50+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.67 грн
50+79.87 грн
100+73.58 грн
500+58.34 грн
1000+50.00 грн
2000+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60M2STTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 380mOhm; 11A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF13N60M2 TSTF13N60m2
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.55 грн
178+79.74 грн
193+73.45 грн
500+58.23 грн
1000+49.90 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF13N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.85 грн
50+210.01 грн
100+191.07 грн
500+152.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.45 грн
50+172.39 грн
100+156.79 грн
500+121.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+211.85 грн
68+210.01 грн
100+191.07 грн
500+152.40 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMESH5™
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+301.66 грн
10+175.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N95K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.94 грн
50+288.63 грн
100+264.91 грн
500+209.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N95K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N95K3STMN-CH 950V 10A TO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF13N95K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NK50Z
Код товару: 59791
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 600V 0.35 Ohm Zener SuperMESH 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.87 грн
50+94.94 грн
100+85.44 грн
500+64.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Packaging: Tube
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 500V 0.250 Ohm Mdmesh 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 19101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 19101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+150.20 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60NSTTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STF13NM60N TSTF13NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+86.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.90 грн
2000+92.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+194.18 грн
10+162.70 грн
50+121.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.34 грн
10+250.36 грн
50+196.39 грн
100+168.02 грн
500+139.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.90 грн
2000+92.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60N
Код товару: 40905
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60N(O4OY)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60N-HSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60NDSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+295.33 грн
10+168.57 грн
50+155.99 грн
100+150.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+139.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60NDSTMicroelectronics
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+142.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60NDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF13NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 50 V
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.50 грн
50+177.56 грн
100+161.79 грн
500+145.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF13NM60Z
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF14
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF140N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+176.68 грн
100+142.04 грн
500+116.70 грн
1000+102.31 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF140N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 70A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.20 грн
50+72.29 грн
100+70.39 грн
500+53.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF140N6F7STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 50A; Idm: 280A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF140N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220FP pac
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF140N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF140N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+110.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF140N8F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 64A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF140N8F7STMicroelectronicsMOSFET Nchanl 80 V 0035 Ohm typ 64 A Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF14N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF14N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF14N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF14N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.39 грн
10+159.18 грн
100+111.59 грн
500+85.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF14N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF14NM50NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 25W; TO220FP
Mounting: THT
Technology: MDmesh™ ||
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.32Ω
Power dissipation: 25W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.09 грн
10+70.45 грн
50+64.58 грн
100+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.15 грн
10+172.35 грн
100+167.92 грн
500+160.30 грн
1000+141.68 грн
2000+131.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF14NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.06 грн
50+122.43 грн
100+122.10 грн
500+112.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF14NM50NSTTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STF14NM50N TSTF14NM50n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+172.21 грн
100+167.78 грн
500+166.10 грн
1000+152.90 грн
2000+137.07 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF14NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF14NM50NSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF14NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+243.09 грн
80+177.28 грн
100+172.94 грн
500+162.22 грн
1000+143.34 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF14NM65N
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF14NM65NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 650V 0.33 Ohms 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF14NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF150N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 100 V, 0.0036 Ohm typ 65 A STripFET F7 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF150N10F7
Код товару: 189682
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF150N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 65A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF150N10F7SamtecSamtec
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF15100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V ITO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AC
Capacitance @ Vr, F: 686pF @ 5V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
50+50.45 грн
100+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF15100CSMC Diode Solutions LLCDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 15A ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF15150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 150 V
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+51.48 грн
100+35.66 грн
500+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF15150CRSMC Diode SolutionsDiode Array 1 Pair Common Anode 150 V 7.5A Through Hole TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF15150CRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 150V; 7.5Ax2; ITO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 7.5A x2
Semiconductor structure: common anode; double
Case: ITO220AB
Max. forward voltage: 0.75V
Max. load current: 15A
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF15150CRSMC Diode SolutionsDescription: DIODE ARR SCHOTTKY 150V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF15200SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 200V ITO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AC
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF15200CRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 200V; 15A; ITO220AB; Ufmax: 0.73V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: ITO220AB
Max. forward voltage: 0.73V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF1545CSMC Diode Solutions LLCDescription: DIODE SCHOTTKY 45V 15A ITO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF1560SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 60V ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.2 mA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF15N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF15N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 378mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.60 грн
10+119.78 грн
50+91.36 грн
100+77.12 грн
500+62.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF15N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF15N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 6.9A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]