Продукція > TK6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK6R8A08QM,S4X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK6R8A08QM,S4X | Toshiba | MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm | на замовлення 415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK6R8A08QM,S4X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK6R8A08QM,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 29A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| TK6R8A08QM,S4X(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK6R8A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58 A, 5300 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 41W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm | на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK6R8A08QM,S4X(S | Toshiba | TK6R8A08QM,S4X(S | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK6R9P08QM,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 31A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C | на замовлення 807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| TK6R9P08QM,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK6R9P08QM,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 31A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK6R9P08QM,RQ | Toshiba | MOSFETs UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm | на замовлення 25028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK6R9P08QM,RQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK6R9P08QM,RQ(S2 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK6R9P08QM,RQ(S2 | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |