TK6R9P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 116.23 грн |
| 10+ | 78.50 грн |
| 100+ | 53.77 грн |
| 500+ | 40.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK6R9P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 31A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), FET Type: N-Channel.
Інші пропозиції TK6R9P08QM,RQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK6R9P08QM,RQ | Toshiba |
MOSFETs UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm |
на замовлення 25028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TK6R9P08QM,RQ |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm
MOSFETs UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm
на замовлення 25028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)