Продукція > TOSHIBA > TK6R9P08QM,RQ
TK6R9P08QM,RQ

TK6R9P08QM,RQ Toshiba

TK6R9P08QM_datasheet_en_20221219-2486471.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm
на замовлення 25028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.17 грн
10+72.20 грн
100+43.84 грн
250+43.77 грн
500+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK6R9P08QM,RQ Toshiba

Description: UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 31A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V.

Інші пропозиції TK6R9P08QM,RQ за ціною від 33.20 грн до 119.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK6R9P08QM,RQ TK6R9P08QM,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70424&prodName=TK6R9P08QM Description: UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.99 грн
10+73.42 грн
100+49.15 грн
500+36.35 грн
1000+33.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R9P08QM,RQ TK6R9P08QM,RQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 62A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R9P08QM,RQ TK6R9P08QM,RQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R9P08QM,RQ TK6R9P08QM,RQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R9P08QM,RQ TK6R9P08QM,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70424&prodName=TK6R9P08QM Description: UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.