Продукція > 2Sk
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK2839 | TOSHIBA | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2839(TE16L) | Toshiba | MOSFET SP PLN,DISCON(03-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2839(TE1GL) | TOSHIBA | SOT89 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK283R3 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK283R4 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK284(T6L1MDNSI3) | на замовлення 1878 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK2840 | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2841 | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2841 | Toshiba | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2841 | Toshiba | MOSFET N-Ch 400V 10A Rdson 0.4 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2841 (F) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2841(F) | Toshiba | MOSFET Pb-F 220ABL PLN,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2842 Код товару: 105118
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні УКТЗЕД: 8541290010 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2842 | Toshiba | MOSFETs 220NIS2 PLN,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2842 (Q,T) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2842(Q) | TOSHIBA | 05+06+ | на замовлення 4570 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2842(Q,T) | Toshiba | MOSFET 220NIS2 PLN,DISCON(09-04)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2842(QT) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2843 Код товару: 45612
Додати до обраних
Обраний товар
| Toshiba | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: ТО220-ISO Напруга сток-витік Uds, В: 600 В Струм стоку Idd, А: 10 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,54 Ом | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2843 | Toshiba | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2843 | Toshiba | MOSFETs 220NIS2 PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2843 (Q) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2843(Q) | Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch 600V 10A Rdson=0.75Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2844 | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2845 | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2845 | Toshiba | MOSFETs DP PLN,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2845 (Q) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2845(TE16L1,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 900V 1A DP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PW-MOLD Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2845(TE16L1,Q) | Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch 900V 1A Rdson 9 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2846 | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK2847 | Toshiba | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2847 | Toshiba | MOSFET 3PNIS PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2847(F) | Toshiba | MOSFET N-ch 900V 8A 1.1 ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2847(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO3PIS Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3P(N)IS Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2847(F) | на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK2847(транзистор) Код товару: 74268
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2848 | Sanken Electric USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-220F Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2848 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK2850 | FUJI | 09+ | на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2850 | Toshiba | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2850 Код товару: 38164
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-3P Напруга сток-витік Uds, В: 900 В Струм стоку Idd, А: 6 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,87 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 950/ Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| |||||||||
| 2SK2850-01 Код товару: 143515
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2850-53 | FUJI | 05+06+ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2851 | HITACHI | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2851TZ-E | Renesas Electronics Corporation | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2851TZ-E | Renesas | 2SK2851TZ-E | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2854 | TOSHIBA | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2854 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2854(TE12L,F) Код товару: 92363
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2854(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF MOSFET 10V PW-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Current Rating (Amps): 500mA Frequency: 849MHz Configuration: N-Channel Power - Output: 23dBmW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: PW-MINI Voltage - Rated: 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2854(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF MOSFET 10V PW-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Current Rating (Amps): 500mA Frequency: 849MHz Configuration: N-Channel Power - Output: 23dBmW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: PW-MINI Voltage - Rated: 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2855 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK2856 | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2857 | NEC | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2857(0)-T1-AZ | Renesas | N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2857(0)-T1-AZ | Renesas | Description: 2SK2POWMOSFEFAUTOMOTIVE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2857-T1 | NEC | SOT89 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2857-T1-AZ | Renesas | Description: 2SK2857-T1-AZ - N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SC-62 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 10 V | на замовлення 14621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2857-T1-AZ | Renesas | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R | на замовлення 14621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2858 | NEC | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2858(0)-T1-A | Renesas | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2858(0)-T1-A | Renesas | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2858(0)-T1-A | Renesas | Description: 2SK2POWMOSFEFAUTOMOTIVE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2858(0)-T1-AT | Renesas | Description: D73032F16V - Power MOSFETs for A Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2858(0)-T1-AT | Renesas | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING | на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2858-T1 | NEC | SOT323 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2858-T1(A) | Renesas | Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2858-T1-A | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SC70-3 SSP Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 10µA Supplier Device Package: SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 3 V | на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2859-TL | PHILIPS | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2859TL | на замовлення 680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SK286 | HITACHI | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2861 | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2862 | Toshiba | MOSFET 220NIS1 PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2862 | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2862 (Q) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2863 | TOSHIBA | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2864 | SANYO | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2864-TL-E | onsemi | Description: NCH 10V DRIVE SERIES Packaging: Bulk | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2864-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SK2864-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.09 ohm, ZP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: ZP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2864-TL-E | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 200V 20A 3-Pin ZP | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2865 | Toshiba | MOSFETs MOLD PLN,ACTIVE,DISCON(05-04)/PHASE-OUT(05-07)/OBSOLETE(05-10),DISCON-->2005-09-27 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2865 Код товару: 144197
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2865 | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2865(T6L1IKE,NQ | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2865(TE16L1,N) | Toshiba | MOSFETs MOLD PLN,DISCON(05-04)/PHASE-OUT(06-07)/OBSOLETE(06-10), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2865(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2865(TE16L1,NQ) | Toshiba | MOSFETs Pb-FF NEW PW-MOLD,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2865(TE16L1NQ) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2866 | TOSHIBA | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2866 | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2866 (F) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2866(F) | Toshiba | MOSFET X35 Pb-F POWER MOSFET TO-220ABL MOQ=50 PD=125W F=1MHZ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2866(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2867 | SANYO | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2867-TB | SANYO | SOT-23 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2sK2869 | HITACHI | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SK2869-90STR | RENESAS | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SK2869-91L | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2869-91L | Renesas | 2SK2869-91L | на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SK2869-92STR | Renesas | 2SK2869-92STR | на замовлення 5834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

