НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HS1JTaiwan SemiconductorDiode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JGood-ArkDiode Switching 600V 1A 2-Pin SMA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JTaiwan Semiconductor1A,600V,GP,HF,SMD RECTIFIER Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JTaiwan SemiconductorDiode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+5.94 грн
22500+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JTaiwan SemiconductorDiode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 9133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9133+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 9133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JTaiwan SemiconductorDiode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.59 грн
100+11.10 грн
500+7.75 грн
1000+6.89 грн
2000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J E2Taiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J E3Taiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J E3GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J F2Taiwan SemiconductorDiode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J F2Taiwan SemiconductorDiode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J F2Taiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J F2GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J F3Taiwan SemiconductorRectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J F3GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J M2Taiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J M2GTaiwan SemiconductorDiode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J M2GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J M2GTaiwan SemiconductorDiode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J M2GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R2Taiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R2GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R3Taiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R3Taiwan SemiconductorDiode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R3GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R3GTaiwan SemiconductorDiode Switching 600V 1A 2-Pin SMA T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R3GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J R3GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
на замовлення 10530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J-KTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J-K M2GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1J-K R3GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JALTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JALTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 28000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JALTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 6145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
14+21.81 грн
100+11.01 грн
500+9.15 грн
1000+7.12 грн
2000+6.38 грн
5000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JAL M3GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JAL M3GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JAL M3GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JALHTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 28000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JALHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JF-TTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JF-TTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 600V 1A SMAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JF-TTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 600V 1A SMAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
25+12.08 грн
100+7.56 грн
500+5.22 грн
1000+4.62 грн
2000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JF-T M2GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFLTaiwan SemiconductorDiode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
на замовлення 4384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3192+4.43 грн
3199+4.42 грн
3206+4.41 грн
3212+4.25 грн
3219+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 3192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFLTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
на замовлення 12025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFLTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFLTaiwan SemiconductorDiode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFLTaiwan SemiconductorDiode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFLTaiwan SemiconductorDiode Switching 600V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
на замовлення 4384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+4.47 грн
170+4.28 грн
171+3.96 грн
250+3.79 грн
500+3.78 грн
1000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFLTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 15260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
18+17.36 грн
100+8.76 грн
500+6.70 грн
1000+4.97 грн
2000+4.18 грн
5000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFL RVGTaiwan SemiconductorRectifier Diode Switching 600V 1A 75ns 2-Pin SOD-123FL T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFL RVGTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFSTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 600V 1A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFSTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFSTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 600V 1A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFS M3GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
на замовлення 6531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFS M3GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFS M3GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFSHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 600V 1A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.44 грн
100+11.03 грн
500+7.73 грн
1000+6.89 грн
2000+6.17 грн
5000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFSHTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 28000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JFSHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE STANDARD 600V 1A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14000+5.21 грн
28000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 14000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JHTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JHF2Taiwan SemiconductorRectifiers 1A,600V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JHF2GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JHF3Taiwan SemiconductorRectifiers 1A,600V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JHF3GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JHM2GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JHR2Taiwan SemiconductorRectifiers 1A,600V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JHR2GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JHR3Taiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JHR3GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JLTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JLTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 19975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+22.27 грн
100+11.26 грн
500+9.36 грн
1000+7.29 грн
2000+6.52 грн
5000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JLTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL M2GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL MHGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL MQGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL MTGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL R2GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL R3GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL R3GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RHGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RQGTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RQGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RTGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RUGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RVGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RVGTaiwan SemiconductorDiode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1542 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RVGTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns 1A 600V High Ef f Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RVGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JL RVGTaiwan SemiconductorDiode Switching 600V 1A 2-Pin Sub SMA T/R
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1542+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 1542 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JLHTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 75NS, 1A, 600V, HIGH EFFICIENT R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JLHTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JLHR2Taiwan SemiconductorRectifiers 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JLHR2GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JLHR3Taiwan SemiconductorRectifiers 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HS1JLHR3GTaiwan SemiconductorRectifiers 75ns, 1A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.